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T0612MH

更新时间： 2024-01-25 21:46:56

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		局域网栅三端双向交流开关栅极
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5页	62K
描述
600V, 6A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC

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T0612MH 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	not_compliant	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.21	配置：	SINGLE
换向电压的临界上升率-最小值：	5 V/us	关态电压最小值的临界上升速率：	500 V/us
最大直流栅极触发电流：	50 mA	最大直流栅极触发电压：	2.5 V
最大维持电流：	50 mA	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	最大漏电流：	2 mA
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	6 A	断态重复峰值电压：	600 V
子类别：	TRIACs	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	触发设备类型：	4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC
Base Number Matches：	1

T0612MH 数据手册

T0610xH / T0612xH

THERMAL RESISTANCES

Symbol

Parameter

Value

Unit

°C/W

Rth(j-a)

Rth(j-c)

Junction to ambient

Junction to case for D.C

Junction to case for A.C 360°conduction angle (F=50Hz)

GATE CHARACTERISTICS (maximum values)

P_{G (AV)}= 1 W P_GM= 10 W (tp = 20 µs)

I_GM= 4 A (tp = 20 µs)

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Sensitivity

Unit

Symbol

Test Conditions

Quadrant

I_GT

V_GT

V_GD

tgt

V_D=12V (DC) R_L=33Ω

V_D=V_DRMR_L=3.3kΩ

Tj= 25°C

I-II-III-IV MAX

1.5

0.2

Tj= 125°C I-II-III-IV

MIN

TYP

V_D=V_DRMI_G= 500mA

I_T= 8.5A

Tj= 25°C

I-II-III-IV

µs

dI_G/dt = 3A/µs

I_T= 250 mA Gate open

I_G= 1.2 I_GT

I_H*

I_L

Tj= 25°C

MAX

TYP

MAX

MIN

I-III-IV

100

ITM= 8.5A tp= 380µs

V_TM

Tj= 25°C

Tj= 110°C

1.65

V_D= V_DRM

V_R= V_RRM

I_DRM

I_RRM

µA

V/µs

dV/dt *

VD=67%V_DRM

Gate open

200

500

(dV/dt)c * (dI/dt)c = 2.7 A/ms

Tj= 110°C

MIN

V/µs

* Foreither polarity of electrode A₂voltage with reference to electrode A₁

ORDERING INFORMATION

T 06 10 M H

PACKAGE :

H = TO220 Non-insulated

TRIAC MESA GLASS

CURRENT

VOLTAGE

SENSITIVITY

2/5

123 4 5

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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