是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.80 |
风险等级: | 5.75 | 应用: | GENERAL PURPOSE |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码: | O-CEDB-N2 |
最大非重复峰值正向电流: | 12000 A | 元件数量: | 1 |
相数: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 150 °C | 最大输出电流: | 1520 A |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | DISK BUTTON | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 6000 V |
表面贴装: | YES | 端子形式: | NO LEAD |
端子位置: | END | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
SW50CXC15C | IXYS | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3750A, 5000V V(RRM), Silicon, |
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SW50CXC350 | IXYS | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1030A, 5000V V(RRM), Silicon, |
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SW50CXC500 | IXYS | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1295A, 5000V V(RRM), Silicon, |
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SW50CXC680 | IXYS | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1610A, 5000V V(RRM), Silicon, |
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SW50CXC815 | IXYS | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1860A, 5000V V(RRM), Silicon, |
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SW50N06 | ETC | N-Channel MOSFET |
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