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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-CEDB-N2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.75 |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 应用： | GENERAL PURPOSE |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码： | O-CEDB-N2 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 39000 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最大输出电流： | 3750 A | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | DISK BUTTON |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 5000 V |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | END | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| SW50CXC350 | IXYS | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1030A, 5000V V(RRM), Silicon, |
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| SW50CXC500 | IXYS | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1295A, 5000V V(RRM), Silicon, |
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| SW50CXC680 | IXYS | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1610A, 5000V V(RRM), Silicon, |
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| SW50CXC815 | IXYS | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1860A, 5000V V(RRM), Silicon, |
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| SW50N06 | ETC | N-Channel MOSFET |
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| SW50N06A | SEMIPOWER | N-channel MOSFET (TO-251 , TO-252) |
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