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SVF4N65CAFJH

更新时间： 2024-04-09 19:00:13

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士兰微 - SILAN		/
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描述
TO-220FJD-3L

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SVF4N65CAFJH 数据手册

士兰微电子

SVF4N65CAFJH 说明书

4A、650V N沟道增强型场效应管

描述

SVF4N65CAFJH N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采

用士兰微电子的 F-Cell^TM平面高压 VDMOS 工艺技术制造。先进的工

艺及原胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高

的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器，高

压 H 桥 PWM 马达驱动。

1.栅极 2.漏极 3.源极

特点



4A，650V，R_DS(on)_{（典型值）}=2.3@V_GS=10V

低栅极电荷量

低反向传输电容

TO-220FJH-3L

开关速度快

提升了 dv/dt 能力

产品规格分类

产品名称

封装形式

打印名称

环保等级

包装方式

SVF4N65CAFJH

TO-220FJH-3L

4N65CAFJH

无卤

料管

极限参数(除非特殊说明，T_A=25C)

参数

符号

V_DS

V_GS

参数值

单位

漏源电压

栅源电压

650

±30

4.0

T_C=25C

T_C=100C

漏极电流

I_D

2.5

漏极脉冲电流

I_DM

P_D

耗散功率（T_C=25C）

-大于 25C 每摄氏度减少

单脉冲雪崩能量（注 1）

工作结温范围

0.24

W/C

C

E_AS

T_J

215

-55～+150

贮存温度范围

T_stg

C

热阻特性

参数

芯片对管壳热阻

芯片对环境的热阻

符号

R_θJC

R_θJA

参数值

4.17

单位

C/W

62.5

杭州士兰微电子股份有限公司

版本号：1.2

共 7 页第 1 页

http: //www.silan.com.cn

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