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SVF4N65CF

更新时间： 2024-04-09 19:03:21

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士兰微 - SILAN		/
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TO-220F-3L

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SVF4N65CF 数据手册

士兰微电子

SVF4N65CF/MJ 说明书

4A、650V N沟道增强型场效应管

描述

SVF4N65CF/MJ N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采

用士兰微电子的 F-Cell^TM平面高压 VDMOS 工艺技术制造。先进的工

艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高

的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器，高

压 H 桥 PWM 马达驱动。

1.栅极 2.漏极 3.源极

特点

TO-251J-3L



4A，650V，R_DS(on)_{（典型值）}=2.3@V_GS=10V

低栅极电荷量

低反向传输电容

开关速度快

提升了 dv/dt 能力

TO-220F-3L

产品规格分类

产品名称

SVF4N65CF

封装形式

TO-220F-3L

TO-251J-3L

打印名称

SVF4N65CF

SVF4N65C

环保等级

无卤

包装方式

料管

SVF4N65CMJ

无卤

料管

杭州士兰微电子股份有限公司

http: //www.silan.com.cn

版本号：1.7

共 9 页第 1 页

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