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SVF3878P7

更新时间： 2024-03-03 10:08:49

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士兰微 - SILAN		/
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TO-247-3L

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SVF3878P7 数据手册

士兰微电子

SVF3878P7 说明书

9A、900V N沟道场效应管

描述

SVF3878P7 N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管，采用士兰微电子

F-Cell^TM平面高压 VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞设计结构使得

该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器， H 桥

PWM 马达驱动。

1.栅极 2.漏极 3.源极

特点



9A，900V，RDS(on) (typ.)=1.0@VGS=10V

低栅极电荷量

低 Crss

开关速度快

提升了 dv/dt 能力

TO-247-3L

产品规格分类

产品名称

封装形式

打印名称

环保等级

包装方式

料管

SVF3878P7

TO-247-3L

3878

无铅

极限参数（除非特殊说明，T_A=25C）

参数

符号

V_DS

V_GS

参数值

单位

漏源电压

栅源电压

900

±30

T_C=25°C

9.0

漏极电流

I_D

T_C=100°C

5.7

漏极脉冲电流

I_DM

P_D

27.0

150

耗散功率（T_C=25C）

- 大于 25C 每摄氏度减少

单脉冲雪崩能量

1.2

W/C

C

（注 1）

E_AS

T_J

966

工作结温范围

-55～+150

贮存温度范围

T_stg

C

杭州士兰微电子股份有限公司

版本号：1.4

共 7 页第 1 页

http: //www.silan.com.cn

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