是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | ROHS COMPLIANT PACKAGE-6 | 针数: | 6 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.95 | Factory Lead Time: | 8 weeks |
风险等级: | 1.04 | 最大集电极电流 (IC): | 3 A |
集电极-发射极最大电压: | 30 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 100 | JESD-30 代码: | R-PDSO-G6 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 6 |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | PNP |
最大功率耗散 (Abs): | 1.2 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) - annealed | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STT818B | STMICROELECTRONICS |
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HIGH GAIN LOW VOLTAGE PNP POWER TRANSISTOR | |
STT818B_07 | STMICROELECTRONICS |
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High gain low voltage PNP power transistor | |
STT8205S | SECOS |
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N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET | |
STT8205S_11 | SECOS |
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N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET | |
STT90 | SIRECTIFIER |
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Thyristor-Thyristor Modules | |
STT90GK08 | SIRECTIFIER |
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晶闸管(可控硅)Thyristors (SCRs),晶闸管/晶闸管模块Thyristor- | |
STT90GK08B | SIRECTIFIER |
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Thyristor-Thyristor Modules | |
STT90GK12 | SIRECTIFIER |
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晶闸管(可控硅)Thyristors (SCRs),晶闸管/晶闸管模块Thyristor- | |
STT90GK12B | SIRECTIFIER |
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Thyristor-Thyristor Modules | |
STT90GK14 | SIRECTIFIER |
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晶闸管(可控硅)Thyristors (SCRs),晶闸管/晶闸管模块Thyristor- |