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STP13N60DM2

更新时间： 2023-12-20 18:46:36

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		/
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13页	451K
描述
N沟道600 V、0.310 Ohm典型值、11 A MDmesh DM2功率MOSFET，TO-220封装

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STP13N60DM2 数据手册

STP13N60DM2

Test circuits

Figure 13. Test circuit for resistive load switching times

Figure 14. Test circuit for gate charge behavior

V_DD

12 V

47 kΩ

1 kΩ

100 nF

R_L

2200

μF

3.3

μF

V_DD

I_G= CONST

2.7 kΩ

V_D

R_G

D.U.T.

100 Ω

V_GS

pulse width

D.U.T.

V_GS

V_G

2200

μF

pulse width

47 kΩ

1 kΩ

AM01469v1

AM01468v1

Figure 15. Test circuit for inductive load switching and

diode recovery times

Figure 16. Unclamped inductive load test circuit

V_D

100 µH

fast

D.U.T.

diode

2200

3.3

µF

V_DD

1000

µF

3.3

µF

V_DD

I_D

25 Ω

D.U.T.

R_G

D.U.T.

V_i

pulse width

AM01471v1

AM01470v1

Figure 18. Switching time waveform

Figure 17. Unclamped inductive waveform

t_on

t_d(on)

t_off

t_d(off)

V(BR)DSS

t_r

t_f

90%

IDM

V_DS

10%

V_GS

10%

VDD

90%

10%

AM01472v1

AM01473v1

DS12837 - Rev 1

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