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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.82 | 雪崩能效等级（Eas）： | 200 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2.7 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 2.7 A | 最大漏源导通电阻： | 3.8 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 50 pF |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 60 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 60 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 12 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大开启时间（吨）： | 137 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| STK3NA50 | STMICROELECTRONICS | N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR |
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| STK3NA50K | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 2.7A I(D) | SOT-194 |
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| STK3NA60 | STMICROELECTRONICS | N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR |
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| ST-K4 | SYNERGY | TRRANSSFFORRMEERRS |
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| STK400-010 | SANYO | 3ch AF Power Amplifier(Split Power Supply) 10W+10W+10W,THD=0.4% |
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| STK400-010SERIES | ETC | Triple Audio Amplifier |
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