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Datasheet > 存储 > SRAM> STK14C88-C45I
STK14C88-C45I PDF预览

STK14C88-C45I

更新时间： 2024-02-05 03:20:26
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 存储内存集成电路静态存储器军事
页数 文件大小 规格书
20页 713K
描述
32 K x 8 AutoStore nvSRAM Commercial, industrial, military temperatures

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STK14C88-C45I 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：DIP, DIP32,.3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：3A001.A.2.CHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.75Is Samacsys：N
最长访问时间：45 nsJESD-30 代码：R-CDIP-T32
JESD-609代码：e0长度：40.635 mm
内存密度：262144 bit内存集成电路类型：NON-VOLATILE SRAM
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：32字数：32768 words
字数代码：32000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
组织：32KX8封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：DIP封装等效代码：DIP32,.3
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：4.12 mm最大待机电流：0.0015 A
子类别：SRAMs最大压摆率：0.07 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：MILITARY
端子面层：Tin/Lead (Sn85Pb15)端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：7.62 mm
Base Number Matches：1

STK14C88-C45I 数据手册

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STK14C88  
SRAM Write Cycle #1 and #2  
(VCC = 5.0V ± 10%)[4]  
Symbols  
NO.  
STK14C88-25 STK14C88-35 STK14C88-45  
Parameter  
Write Cycle Time  
Unit  
#1  
#2  
Alt.  
tWC  
tWP  
tCW  
tDW  
tDH  
tAW  
tAS  
Min  
25  
20  
20  
10  
0
Max  
–
Min  
35  
25  
25  
12  
0
Max  
–
Min  
45  
30  
30  
15  
0
Max  
–
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
tAVAV  
tAVAV  
tWLEH  
tELEH  
tDVEH  
tEHDX  
tAVEH  
tAVEL  
tEHAX  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
tWLWH  
tELWH  
tDVWH  
tWHDX  
tAVWH  
tAVWL  
tWHAX  
Write Pulse Width  
–
–
–
Chip Enable to End of Write  
Data Setup to End of Write  
Data Hold after End of Write  
Address Setup to End of Write  
Address Setup to Start of Write  
Address Hold after End of Write  
Write Enable to Output Disable  
Output Active after End of Write  
–
–
–
–
–
–
–
–
–
20  
0
–
25  
0
–
30  
0
–
–
–
–
tWR  
tWZ  
tOW  
0
–
0
–
0
–
[8, 9]  
20 tWLQZ  
–
10  
–
–
13  
–
–
15  
–
21  
tWHQX  
5
5
Figure 6. SRAM Write Cycle 1: W Controlled [10, 11]  
12  
AVAV  
t
ADDRESS  
19  
WHAX  
14  
ELWH  
t
t
E
17  
AVWH  
t
18  
AVWL  
t
13  
WLWH  
t
W
15  
DVWH  
13  
WHDX  
t
t
DATA IN  
DATA VALID  
20  
WLQZ  
t
21  
WHQX  
t
HIGH IMPEDANCE  
DATA OUT  
PREVIATA  
Figure 7. SRAM Write Cycle 2: E Controlled [10, 11]  
12  
AVAV  
t
ADDRESS  
E
18  
AVEL  
14  
ELEH  
19  
EHAX  
t
t
t
17  
AVEH  
t
13  
WLEH  
t
W
15  
DVEH  
16  
EHDX  
t
t
DATA IN  
DATA VALID  
HIGH IMPEDANCE  
DATA OUT  
Notes  
9. If W is low when E goes low, the outputs remain in the high impedance state.  
10. E or W must be V during address transitions.  
IH  
11. HSB must be high during SRAM write cycles.  
Document Number: 001-52038 Rev. *C  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STK14C88-C45M ETC

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STK14C88C-5C35M CYPRESS

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