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意法半导体 - STMICROELECTRONICS | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
9页 | 314K | |
描述 | ||
N-CHANNEL 900V - 1.1 ohm - 8 A TO-247/ISOWATT218 PowerMesh⑩ MOSFET |
是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TO-218 | 包装说明: | ISOWATT218, 3 PIN |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
风险等级: | 5.72 | 雪崩能效等级(Eas): | 700 mJ |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 900 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 5 A |
最大漏极电流 (ID): | 5 A | 最大漏源导通电阻: | 1.45 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-218 |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 80 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 20 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
STH8NB90FI | STMICROELECTRONICS | N-CHANNEL 900V - 1.1 ohm - 8 A TO-247/ISOWATT |
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STH-90S-A | HITACHI | Directional Coupler, |
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STH-90S-G | HITACHI | Directional Coupler, |
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STH-90S-L | HITACHI | Directional Coupler, 402MHz Min, 470MHz Max, 0.25dB Insertion Loss-Max, |
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STH-90SM | HITACHI | RF/MICROWAVE DIRECTIONAL COUPLER |
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STH-90S-M | HITACHI | Directional Coupler |
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