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STH8NB90FI

更新时间： 2024-01-08 22:58:15
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
9页 314K
描述
N-CHANNEL 900V - 1.1 ohm - 8 A TO-247/ISOWATT218 PowerMesh⑩ MOSFET

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STH8NB90FI 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-218包装说明：ISOWATT218, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
风险等级：5.72雪崩能效等级（Eas）：700 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：900 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：5 A
最大漏极电流 (ID)：5 A最大漏源导通电阻：1.45 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-218
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：80 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：20 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STH8NB90FI 数据手册

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STW8NB90  
STH8NB90FI  
N-CHANNEL 900V - 1.1 Ω - 8 A TO-247/ISOWATT218  
PowerMesh™ MOSFET  
TYPE  
STW8NB90  
STH8NB90FI  
V
R
I
D
DSS  
DS(on)  
900 V  
900 V  
< 1.45 Ω  
< 1.45 Ω  
8 A  
5 A  
■
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 1.1 Ω  
DS  
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES  
GATE CHARGE MINIMIZED  
3
3
2
2
1
1
TO-247  
ISOWATT218  
DESCRIPTION  
Using the latest high voltage MESH OVERLAY™  
process, STMicroelectronics has designed an ad-  
vanced family of power MOSFETs with outstanding  
performances. The new patent pending strip layout  
coupled with the Company’s proprieraty edge termi-  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
nation structure, gives the lowest R  
per area,  
DS(on)  
exceptional avalanche and dv/dt capabilities and  
unrivalled gate charge and switching characteris-  
tics.  
APPLICATIONS  
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SWITH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)  
DC-AC CONVERTERS FOR WELDING  
EQUIPMENT  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
STW8NB90  
STH8NB90FI  
V
Drain-source Voltage (V = 0)  
900  
900  
±30  
V
V
DS  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
DGR  
GS  
V
GS  
Gate- source Voltage  
V
I
Drain Current (continuos) at T = 25°C  
8
5
5
3
A
D
C
I
Drain Current (continuos) at T = 100°C  
A
D
C
I
( )  
●
Drain Current (pulsed)  
32  
200  
1.6  
20  
80  
0.64  
A
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
W
TOT  
C
Derating Factor  
W/°C  
V/ns  
V
dv/dt (1)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Insulation Withstand Voltage (DC)  
Storage Temperature  
4
V
-
2500  
ISO  
T
–65 to 150  
150  
°C  
°C  
stg  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(•)Pulse width limited by safe operating area  
(1)I ≤8 A, di/dt ≤200A/µs, V ≤ V  
, T ≤ T  
(BR)DSS j JMAX.  
SD  
DD  
July 2001  
1/9  
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