5秒后页面跳转
STC3265O PDF预览

STC3265O

更新时间: 2024-10-01 20:07:27
品牌 Logo 应用领域
可天士 - KODENSHI /
页数 文件大小 规格书
3页 83K
描述
Transistor,

STC3265O 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.61
最大集电极电流 (IC):0.8 A配置:Single
最小直流电流增益 (hFE):100最高工作温度:150 °C
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):0.2 W
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
Base Number Matches:1

STC3265O 数据手册

 浏览型号STC3265O的Datasheet PDF文件第2页浏览型号STC3265O的Datasheet PDF文件第3页 
STC3265  
Semiconductor  
NPN Silicon Transistor  
Description  
Audio power amplifier application  
Features  
High hFE : hFE=100~320  
Complementary pair with STA1298  
Ordering Information  
Type NO.  
Marking  
Package Code  
SOT-23  
STC3265  
FA  
: hFE rank  
Outline Dimensions  
unit : mm  
2.4±0.1  
1.30±0.1  
1
3
2
0.45~0.60  
0.2 Min.  
PIN Connections  
1. Base  
2. Emitter  
3. Collector  
KST-2016-000  
1

与STC3265O相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STC3265Y KODENSHI

获取价格

Transistor,
STC32C SUNTSU

获取价格

Ceramic SMT 4 Pad CMOS (VC)TCXO
STC32C25N07 SUNTSU

获取价格

Ceramic SMT 4 Pad CMOS (VC)TCXO
STC32C25N07E SUNTSU

获取价格

Ceramic SMT 4 Pad CMOS (VC)TCXO
STC32C25N07F SUNTSU

获取价格

Ceramic SMT 4 Pad CMOS (VC)TCXO
STC32C25N07G SUNTSU

获取价格

Ceramic SMT 4 Pad CMOS (VC)TCXO
STC32C25N07V SUNTSU

获取价格

Ceramic SMT 4 Pad CMOS (VC)TCXO
STC32C25N07VE SUNTSU

获取价格

Ceramic SMT 4 Pad CMOS (VC)TCXO
STC32C25N07VF SUNTSU

获取价格

Ceramic SMT 4 Pad CMOS (VC)TCXO
STC32C25N07VG SUNTSU

获取价格

Ceramic SMT 4 Pad CMOS (VC)TCXO