是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | DISK BUTTON, O-MEDB-N2 |
针数: | 2 | Reach Compliance Code: | compliant |
HTS代码: | 8541.30.00.80 | 风险等级: | 5.08 |
标称电路换相断开时间: | 200 µs | 配置: | SINGLE |
最大直流栅极触发电流: | 200 mA | 最大直流栅极触发电压: | 3 V |
最大维持电流: | 600 mA | JESD-30 代码: | O-MEDB-N2 |
JESD-609代码: | e0 | 最大漏电流: | 100 mA |
通态非重复峰值电流: | 31000 A | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最大通态电流: | 1700000 A |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | DISK BUTTON | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
认证状态: | Not Qualified | 最大均方根通态电流: | 3080 A |
断态重复峰值电压: | 1400 V | 重复峰值反向电压: | 1400 V |
子类别: | Silicon Controlled Rectifiers | 表面贴装: | YES |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | NO LEAD |
端子位置: | END | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
触发设备类型: | SCR | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
ST1200C14K2LP | VISHAY |
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Phase Control Thyristors (Stud Version), 1650 A | |
ST1200C14K2LPBF | VISHAY |
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Silicon Controlled Rectifier, 3080A I(T)RMS, 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 Element, ROHS C | |
ST1200C14K2LPBF | INFINEON |
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暂无描述 | |
ST1200C14K2PBF | VISHAY |
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Silicon Controlled Rectifier, 3080A I(T)RMS, 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 Element, ROHS C | |
ST1200C14K3 | VISHAY |
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Silicon Controlled Rectifier, 3080A I(T)RMS, 1700000mA I(T), 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 | |
ST1200C14K3 | INFINEON |
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PHASE CONTROL THYRISTORS | |
ST1200C14K3L | VISHAY |
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Silicon Controlled Rectifier, 3080A I(T)RMS, 1700000mA I(T), 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 | |
ST1200C14K3L | INFINEON |
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PHASE CONTROL THYRISTORS | |
ST1200C14K3LP | VISHAY |
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Phase Control Thyristors (Stud Version), 1650 A | |
ST1200C14K3LPBF | VISHAY |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 3080A I(T)RMS, 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 Element, ROHS C |