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SS8050T

更新时间： 2024-01-04 13:39:50

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SECOS		晶体晶体管
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2页	106K
描述
NPN Silicon General Purpose Transistor

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SS8050T 技术参数

极性：	NPN	Collector-emitter breakdown voltage：	25
Collector Current - Continuous：	1.5	DC current gain - Min：	120
DC current gain - Max：	400	Transition frequency：	100
Package：	SOT-323	Storage Temperature Range：	-55-150
class：	Transistors

SS8050T 数据手册

SS8050T

NPN Silicon

Elektronische Bauelemente

General Purpose Transistor

RoHS Compliant Product

A suffix of "-C" specifies halogen & lead-free

TO-92

FEATURES

Power dissipation

P^CM: 1 W

Collector Current

I^CM: 1.5 A

Collector-base voltage

V(BR)CBO : 40 V

2 3

Operating & storage junction temperature

T^j, Tstg : - 55^OC ~ + 150^OC

1. EMITTER

2. BASS

COLLECTOR

ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( Tamp.=25^OC unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test

conditions

I_E=0

MIN

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

(BR)CBO

Ic= 100

μ ，

Ic= 0.1mA I_B=0

，

(BR)CEO

(BR)EBO

I =100

I_C=0

μ ，

I_CBO

V_CB=40 V , I_E=0

0.1

Collector cut-off current

I_CEO

V_CE=20V, I_B=0

Emitter cut-off current

I_EBO

V_EB= 5V, I_C=0

0.1

H_FE(1)

H_FE(2)

V_CE(sat)

V_BE(sat)

V_CE=1V, I_C= 100mA

V_CE=1V, I_C= 800mA

I_C=800 mA, I_B= 80mA

400

DC current gain

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

0.5

1.2

I_C=800 mA, I_B= 80mA

V_CE=10V, I_C= 50mA

Transition frequency

100

MHz

f_T

f=30MHz

CLASSIFICATION OF h_FE(1)

Rank

Range

85-160

120-200

160-300

300-400

http://www.SeCoSGmbH.com

Any changing of specification will not be informed individual

01-Jun-2002 Rev. A

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