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SS55B

更新时间： 2024-02-10 14:42:27
品牌 Logo 应用领域
鲁光 - LGE 肖特基二极管
页数 文件大小 规格书
2页 597K
描述
Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers

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SS55B 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMAF, 2 PINReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.7应用：GENERAL PURPOSE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.75 V
JESD-30 代码：R-PDSO-F2最大非重复峰值正向电流：150 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：5 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：50 V最大反向电流：500 µA
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1
类别：DiodesVRRM (V) max：50
IF (A) max：5VF (V) max：0.75
Condition1_IF (A)：5IFSM (A) max：150
IR (uA) max：500Condition2_VR (V)：50
trr (ns) max： -AEC Qualified： -
最高工作温度：150最低工作温度：-55
MSL等级： -生命周期：Active
是否无铅：Yes符合Reach：Yes
符合RoHS：YesECCN代码：EAR99
Package Outlines：SMAF

SS55B 数据手册

 浏览型号SS55B的Datasheet PDF文件第2页 
SS52B-SS510B  
Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers  
REVERSE VOLTAGE: 20 --- 100 V  
CURRENT: 5.0 A  
SMB  
Features  
Plastic package has Underwriters Laborator  
◇
111  
4.7± 0.25  
FlammabilityClassification 94V-0  
For surface mounted applications  
Low profile package  
◇
◇
◇
◇
◇
◇
◇
Built-in strain relief  
Metal silicon junction, majoritycarrier conduction  
High surge capability  
5.4± 0.2  
High current capability,low forward voltage drop  
Low power loss,high effciency  
◇
111  
For use in low voltage high frequency inverters,free  
wheeling and polarityprotection applications  
Guardring for overvoltage protection  
◇
0.2± 0.05  
1.3± 0.2  
◇
11  
High temperature soldering guaranteed:250oC/10 1  
seconds at terminals  
Mechanical Data  
Case:JEDEC SMB,molded plastic over  
1111passivated chip  
◇
Dimensions in millimeters  
Polarity: Color band denotes cathode end  
◇
◇
Weight: 0.093 gram  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25oC ambient temperature unless otherwise specified  
SS52B SS53B SS54B SS55B SS56B SS58B SS59B SS510B  
UNITS  
80  
56  
80  
90  
63  
90  
100  
70  
Maximumrecurrent peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
VRRM  
VRWS  
VDC  
20  
14  
20  
30  
21  
30  
40  
28  
40  
50  
35  
50  
60  
42  
60  
V
V
V
MaximumDC blocking voltage  
100  
Maximumaverage forw ord rectified current at  
5.0  
I(AV)  
IFSM  
VF  
A
A
c
TL(SEEFIG.1) (NOTE2)  
Peak forw ard surge current 8.3ms single half-  
c sine-w ave superimposed on rated load(JEDEC  
c Method)  
175  
Maximuminstantaneous forw ard voltage at  
v 5.0A(NOTE.1)  
0.55  
0.70  
0.5  
V
0.85  
10  
MaximumDC reverse current @TA=25oC  
IR  
mA  
at rated DC blockjing voltage(NOTE1) @TA=100oC  
20  
55  
17  
Rθ  
JA  
oC/W  
Typical thermal resitance (NOTE2)  
Rθ  
JL  
oC  
oC  
Operating junction temperature range  
Storage temperature range  
TJ  
-55--- +150  
-55--- +150  
TSTG  
NOTE: 1.Pulse test:300 S pulse width,1%duty cycle  
μ
2. P.C.B.mounted with 0.55"X0.55"(14.0X14.0mm2)copper pad areas  
http://www.luguang.cn  
mail:lge@luguang.cn  
12

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