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SS55F PDF预览

SS55F

更新时间： 2024-02-17 04:28:25
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辰达行 - MDD /
页数 文件大小 规格书
2页 627K
描述
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

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SS55F 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMAF, 2 PINReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.7应用：GENERAL PURPOSE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.75 V
JESD-30 代码：R-PDSO-F2最大非重复峰值正向电流：150 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：5 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：50 V最大反向电流：500 µA
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1
类别：DiodesVRRM (V) max：50
IF (A) max：5VF (V) max：0.75
Condition1_IF (A)：5IFSM (A) max：150
IR (uA) max：500Condition2_VR (V)：50
trr (ns) max： -AEC Qualified： -
最高工作温度：150最低工作温度：-55
MSL等级： -生命周期：Active
是否无铅：Yes符合Reach：Yes
符合RoHS：YesECCN代码：EAR99
Package Outlines：SMAF

SS55F 数据手册

 浏览型号SS55F的Datasheet PDF文件第2页 
SS52F THRU SS5200F  
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER  
5.0 Ampere  
Reverse Voltage - 20 to 200 Volts Forward Current -  
SMAF  
FEATURES  
The plastic package carries Underwriters Laboratory  
Flammability Classification 94V-0  
Cathode Band  
Top View  
For surface mounted applications  
Metal silicon junction,majority carrier conduction  
Low power loss,high efficiency  
0.106(2.70)  
0.094(2.40)  
0.063(1.60)  
0.051(1.30)  
Built-in strain relief,ideal for automated placement  
High forward surge current capability  
High temperature soldering guaranteed:  
260 C/10 seconds at terminals  
0.146(3.7)  
0.130(3.3)  
0.0091(0.23)  
0.0071(0.18)  
0.051(1.30)  
0.043(1.10)  
0.051(1.30)  
0.039(1.0)  
MECHANICAL DATA  
Case: JEDEC SMAF molded plastic body  
Terminals: leads solderable per MIL-STD-750,  
Method 2026  
Polarity: Color band denotes cathode end  
Mounting Position: Any  
Weight:0.0018 ounce, 0.064 grams  
0.193(4.90)  
0.173(4.40)  
Dimensions in inches and (millimeters)  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase half-wave 60Hz,resistive or inductive load,for capacitive load current derate by 20%.  
SYMBOLS  
SS58F SSS510F  
SS5150F SS5200F  
SS52F SS53F SS54F SS55F SS56F  
UNITS  
MDD Catalog  
Number  
20  
14  
20  
30  
21  
30  
40  
28  
40  
50  
35  
50  
60  
42  
60  
80  
56  
80  
100  
70  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
150  
105  
150  
200  
140  
200  
VOLTS  
VOLTS  
VOLTS  
VRRM  
VRMS  
VDC  
100  
Maximum DC blocking voltage  
Maximum average forward rectified current  
at TL(see fig.1)  
I(AV)  
5.0  
Amp  
Peak forward surge current  
IFSM  
150.0  
0.70  
8.3ms single half sine-wave superimposed on  
rated load (JEDEC Method)  
Amps  
VF  
IR  
0.55  
0.85  
Maximum instantaneous forward voltage at 5.0A  
0.95  
Volts  
mA  
Maximum DC reverse current  
at rated DC blocking voltage  
TA=25 C  
0.5  
20.0  
0.2  
2.0  
TA=100 C  
10  
Typical junction capacitance (NOTE 1)  
200  
CJ  
pF  
C/W  
C
Typical thermal resistance (NOTE 2)  
Operating junction temperature range  
RθJA  
50.0  
-50 to +125  
-50 to +150  
TJ,  
Storage temperature range  
C
TSTG  
-50 to +150  
Note:1.Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.  
2.P.C.B. mounted with 0.2x0.2”(5.0x5.0mm) copper pad areas  
12

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