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SPPX6N60S5

更新时间: 2024-02-28 12:31:12
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英飞凌 - INFINEON 局域网脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 208K
描述
Power Field-Effect Transistor, 11.3A I(D), 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC PACKAGE-3

SPPX6N60S5 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.39雪崩能效等级(Eas):340 mJ
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:600 V
最大漏极电流 (ID):11.3 A最大漏源导通电阻:0.38 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):22.6 A
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

SPPX6N60S5 数据手册

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