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SPPXXN10

更新时间： 2024-01-21 07:15:50

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英飞凌 - INFINEON		局域网脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	41K
描述
Power Field-Effect Transistor, 52A I(D), 100V, 0.033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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SPPXXN10 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.38	雪崩能效等级（Eas）：	650 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (ID)：	52 A	最大漏源导通电阻：	0.033 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	208 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SPPXXN10 数据手册

SPPXXN10

Target data sheet

SIPMOS Power Transistor

• N-Channel

• Enhancement mode

• Avalanche rated

• dv/dt rated

• 175°C operating temperature

Pin 1

Pin 2

Pin 3

Type

Package

Ordering Code

DS(on)

@ V

SPPXXN10

100 V 52 A

0.033 Ω

= 10 V P-TO220-3-1

Maximum Ratings, at T = 25 °C, unless otherwise specified

Parameter

Symbol

Value

Unit

Continuous drain current

T = 25 °C

T = 100 °C

Pulsed drain current

IDpulse

208

T = 25 °C

Avalanche energy, single pulse

650

I = 52 A, V = 25 V, R = 25 Ω

Avalanche current,periodic limited byT

17.5

jmax

Avalanche energy,periodic limited byT

Reverse diode dv/dt

j(max)

dv/dt

kV/µs

I = 52 A, V ≤ V , di/dt = 200 A/µs,

(BR)DSS

= 175 °C

jmax

Gate source voltage

Power dissipation

±20

175

tot

T = 25 °C

Operating temperature

Storage temperature

-55 ... +175

55/175/56

°C

stg

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

Semiconductor Group

06 / 1998

12 3 4 5

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