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SPDX7N60S5

更新时间： 2024-09-25 21:08:51

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	75K
描述
Power Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 600V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC PACKAGE-3

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SPDX7N60S5 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.38
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.8 A	最大漏极电流 (ID)：	0.8 A
最大漏源导通电阻：	6 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	11 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	1.6 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SPDX7N60S5 数据手册

SPUX7N60S5

SPDX7N60S5

Target data sheet

Cool MOS Power Transistor

• N-Channel

• Enhancement mode

• Ultra low gate charge

• Avalanche rated

• dv/dt rated

• 150°C operating temperature

Type

DS(on)

Marking

Package

Ordering Code

SPUX7N60S5 600 V 0.8 A

SPDX7N60S5

6 Ω

X7N60S5

P-TO251-3-1

P-TO252

Maximum Ratings, at T = 25 °C, unless otherwise specified

Parameter

Symbol

Value

Unit

Drain source voltage

Continuous drain current

600

DSS

T = 25 °C

0.8

0.5

T = 100 °C

Pulsed drain current

1.6

D puls

T = 25 °C

Avalanche energy, single pulse

tbd

I = 0.8 A, V = 50 V, R = 25 Ω

tbd

Avalanche current (periodic, limited byT

)

jmax

Avalanche energy (10 kHz, limited byT

Reverse diode dv/dt

)

jmax

KV/µs

dv/dt

I = 0.8 A, V <V

, di/dt = 100 A/µs,

DS DSS

= 150 °C

jmax

Gate source voltage

±20

tot

Power dissipation, T = 25 °C

°C

Operating temperature

-55 ...+150

-55 ... +150

55/150/56

Storage temperature

stg

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

Semiconductor Group

04 / 1998

12 3 4 5

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