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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-252 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.79 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 80 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 55 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 25 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 29 A | 最大漏源导通电阻： | 0.04 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 50 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 116 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SPD25N06S240NTMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 55V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| SPD25S | SENSITRON |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 25A, Silicon, ALUMINUM PACKAGE-4 |
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| SPD25V | SENSITRON |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 25A, Silicon, ALUMINUM PACKAGE-4 |
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| SPD25X | SENSITRON |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 25A, Silicon, ALUMINUM PACKAGE-4 |
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| SPD26030 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 600V V(RRM), Silicon, TO-254, 3 PIN |
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| SPD26060 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 60A, 600V V(RRM), Silicon, TO-254, 3 PIN |
|
| SPD26N06S2L-35 | INFINEON |
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OptiMOS Power-Transistor |
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| SPD2-750-1P0-R | LITTELFUSE |
获取价格 |
Surge Protection Devices SPD2 1P0 SERIES |
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| SPD2-750-2P0-R | LITTELFUSE |
获取价格 |
Surge Protection Devices SPD2 2P0 SERIES |
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| SPD2-750-3P0-R | LITTELFUSE |
获取价格 |
Surge Protection Devices |
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