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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SPB08P06PG
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SPB08P06PG

更新时间： 2024-01-17 04:40:48
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 264K
描述
SIPMOS Power-Transistor

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SPB08P06PG 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.75其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：70 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (ID)：8.8 A
最大漏源导通电阻：0.3 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：35.2 A表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SPB08P06PG 数据手册

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SPB08P06P G  
SIPMOS® Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
V DS  
-60  
0.3  
V
Ω
A
• P-Channel  
R DS(on),max  
I D  
• Enhancement mode  
-8.8  
• Avalanche rated  
• dv /dt rated  
• 175°C operating temperature  
• Pb-free lead finishing; RoHS compliant  
PG-TO263-3  
Type  
Package  
Tape and reel information  
Marking Lead free  
08P06P Yes  
Packing  
PG-TO263-3  
1000 pcs / reel  
Non dry  
SPB08P06PG  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
steady state  
-8.8  
I D  
T A=25 °C  
T A=100 °C  
T A=25 °C  
Continuous drain current  
A
-6.3  
I D,pulse  
E AS  
-35.32  
Pulsed drain current  
70  
-6  
I D=8.83 A, R GS=25 Ω  
Avalanche energy, single pulse  
mJ  
I D=8.83 A, V DS=48 V,  
di /dt =-200 A/µs,  
Reverse diode dv /dt  
dv /dt  
kV/µs  
T
j,max=175 °C  
V GS  
±20  
42  
Gate source voltage  
V
P tot  
T A=25 °C  
Power dissipation  
W
°C  
T j, T stg  
"-55 ... +175"  
Operating and storage temperature  
ESD class  
260 °C  
Soldering temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
55/150/56  
Rev 1.5  
page 1  
2008-07-09  
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SPB08P06PG 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SPP08P06PH INFINEON

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