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SP204 PDF预览

SP204

更新时间： 2024-01-18 05:39:58
品牌 Logo 应用领域
POLYFET 晶体晶体管栅
页数 文件大小 规格书
2页 38K
描述
SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR

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SP204 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：LEAD FREE, SOIC-16Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.69差分输出：NO
驱动器位数：4输入特性：STANDARD
接口集成电路类型：LINE DRIVER接口标准：EIA-232; V.28
JESD-30 代码：R-PDSO-G16JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：3功能数量：4
端子数量：16最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C最小输出摆幅：14 V
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：SOP16,.4封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：250
电源：5 V认证状态：Not Qualified
最大接收延迟：子类别：Line Driver or Receivers
标称供电电压：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40Base Number Matches：1

SP204 数据手册

 浏览型号SP204的Datasheet PDF文件第2页 
polyfet rf devices  
SP204  
General Description  
Silicon VDMOS and LDMOS  
transistors designed specifically  
for broadband RF applications.  
Suitable for Militry Radios,  
SILICON GATE ENHANCEMENT MODE  
RF POWER VDMOS TRANSISTOR  
Cellular and Paging Amplifier Base  
Stations, Broadcast FM/AM, MRI,  
Laser Driver and others.  
15.0 Watts Single Ended  
Package Style AP  
TM  
"Polyfet" process features  
low feedback and output capacitances  
HIGH EFFICIENCY, LINEAR  
HIGH GAIN, LOW NOISE  
resulting in high F transistors with high  
t
input impedance and high efficiency.  
o
25 C )  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ( T =  
Total  
Device  
Dissipation  
Junction to  
Case Thermal  
Resistance  
Maximum  
Junction  
Temperature  
DC Drain  
Current  
Drain to  
Gate  
Voltage  
Drain to  
Source  
Voltage  
Gate to  
Source  
Voltage  
Storage  
Temperature  
o
C/W  
o
o
o
3.0  
50 Watts  
200 C  
-65 C to 150 C  
A
70V  
70V  
20 V  
3.40  
RF CHARACTERISTICS (  
15.0 WATTS OUTPUT )  
SYMBOL PARAMETER  
MIN  
10  
TYP  
MAX  
UNITS  
TEST CONDITIONS  
Idq = 0.80 A, Vds = 28.0 V, F = 1,000  
Gps  
Common Source Power Gain  
Drain Efficiency  
MHz  
dB  
%
h
Idq =  
0.80  
45  
A, Vds = 28.0 V, F = 1,000 MHz  
Idq = 0.80  
A, Vds = 28.0 V, F =1,000  
MHz  
VSWR  
Load Mismatch Tolerance  
20:1  
Relative  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( EACH SIDE )  
SYMBOL PARAMETER  
MIN  
65  
TYP  
MAX  
UNITS  
V
TEST CONDITIONS  
Drain Breakdown Voltage  
Ids = 40.00 mA, Vgs = 0V  
Vds =  
Bvdss  
Idss  
0.8  
Zero Bias Drain Current  
Gate Leakage Current  
mA  
28.0 V, Vgs = 0V  
Igss  
Vgs  
1
7
uA  
V
Vds = 0V Vgs = 30V  
Gate Bias for Drain Current  
1
Ids = 0.08 A, Vgs = Vds  
1.2  
gM  
Forward Transconductance  
Saturation Resistance  
Mho  
Vds = 10V, Vgs = 5V  
Rdson  
Ohm  
Vgs = 20V, Ids = 2.00 A  
1.00  
5.60  
40.0  
2.4  
Idsat  
Ciss  
Crss  
Coss  
Saturation Current  
Amp  
pF  
Vgs = 20V, Vds = 10V  
28.0 Vgs = 0V, F = 1 MHz  
Common Source Input Capacitance  
Common Source Feedback Capacitance  
Common Source Output Capacitance  
Vds =  
Vds =  
Vds =  
28.0 Vgs = 0V, F = 1 MHz  
28.0 Vgs = 0V, F = 1 MHz  
pF  
24.0  
pF  
REVISION 03/28/2001  
POLYFET RF DEVICES  
1110 Avenida Acaso, Camarillo, Ca 93012 Tel:(805) 484-4210 FAX: (805) 484-3393 EMAIL:Sales@polyfet.com URL:www.polyfet.com  
12

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