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SP204

更新时间： 2024-02-23 09:06:13

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POLYFET		晶体晶体管栅
页数	文件大小	规格书
2页	38K
描述
SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR

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SP204 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	LEAD FREE, SOIC-16	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.69	差分输出：	NO
驱动器位数：	4	输入特性：	STANDARD
接口集成电路类型：	LINE DRIVER	接口标准：	EIA-232; V.28
JESD-30 代码：	R-PDSO-G16	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	3	功能数量：	4
端子数量：	16	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	最小输出摆幅：	14 V
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装等效代码：	SOP16,.4	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	250
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
最大接收延迟：		子类别：	Line Driver or Receivers
标称供电电压：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	Base Number Matches：	1

SP204 数据手册

SP204

POUT VS PIN GRAPH

CAPACITANCE VS VOLTAGE

S2A 4 DICE CAPACITANCE

Ciss

S P 2 0 4 P OUT VS P IN Fr e q = 1 0 0 0 MHz , VDS = 2 8 V, Id q = . 8 A

100

13.00

12.00

11.00

10.00

9.00

Pout

Coss

1 0

2dB compression = 15 watts

8.00

Efficiency = 40%

Gain

7.00

Crss

6.00

5.00

0.5

1.5

2.5

3.5

4.5

5.5

1 0

1 5

2 0

2 5

3 0

VDS IN VOLTS

P IN IN WAT T S

IV CURVE

ID & GM VS VGS

S2A 4 DIE ID & GM Vs VG

S2A 4 DIE IV

10.00

1.00

0.10

vg=12v

VDSINVOLTS

Vgs in Volts

vg=2v

Vg=4v

Vg=6v

vg=8v

Zin Zout

PACKAGE DIMENSIONS IN INCHES

Tolerance .XX +/-0.01 .XXX +/-.005 inches

REVISION 03/28/2001

POLYFET RF DEVICES

1110 Avenida Acaso, Camarillo, Ca 93012 Tel:(805) 484-4210 FAX: (805) 484-3393 EMAIL:Sales@polyfet.com URL:www.polyfet.com

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