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SN54ALS871JD

更新时间: 2024-10-02 15:51:59
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 250K
描述
16X4 MULTI-PORT SRAM, CDIP28

SN54ALS871JD 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete包装说明:DIP, DIP24,.6
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.92
其他特性:DUAL MEMORY FOR MULTIBUS ARCHITECTURE; SEPARATE I/O FOR PORT AJESD-30 代码:R-CDIP-T28
内存密度:64 bit内存集成电路类型:MULTI-PORT SRAM
内存宽度:4功能数量:1
端口数量:2端子数量:28
字数:16 words字数代码:16
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:16X4
输出特性:3-STATE可输出:NO
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码:DIP
封装等效代码:DIP24,.6封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
子类别:Other Memory ICs最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:TTL
温度等级:MILITARY端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

SN54ALS871JD 数据手册

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