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SMP100-140H225

更新时间： 2024-02-13 19:37:21

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		通信设备
页数	文件大小	规格书
9页	83K
描述
COMMUNICATION EQUIPMENT PROTECTION: TRISIL TM

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SMP100-140H225 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DO-214AA	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-C2
针数：	2	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.26	最大转折电压：	200 V
配置：	SINGLE	最大维持电流：	225 mA
JEDEC-95代码：	DO-214AA	JESD-30 代码：	R-PDSO-C2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
通态非重复峰值电流：	60 A	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	重复峰值反向电压：	120 V
子类别：	DIACs	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	C BEND
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
触发设备类型：	SILICON SURGE PROTECTOR	Base Number Matches：	1

SMP100-140H225 数据手册

SMP100-xxx

Fig 1 :

Fig 2 :

On-state voltage versus on-state current

(typical values).

Non repetitive surge peak on-state current

versus overload duration(T_jinitial = 25 °C).

I^T(A)

ITSM(A)

F=50Hz

Tj=25°C

t(s)

1E+0

VT(V)

2.0 2.2 2.4 2.6 2.8 3.0 3.2 3.4 3.6 3.8 4.0

1E-2

1E-1

1E+1

1E+2

1E+3

Fig 4 :

Variation of thermal impedance junction to

Fig 3 :

Relative variation of holding current versus

ambient versus pulse duration.

junction temperature.

Zth(j-a)(°CW)

IH[Tj] / IH[Tj=25°C]

100

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0.0

tp(s)

1E+0

Tj(°C)

1E-3

1E-2

1E-1

1E+1

1E+2 5E+2

-40

-20

100 120

Fig 5 :

Relative variation of junction capacitance

versus reverse voltage applied (typical values).

Note

: For other types than SMP100-8, the curve can be

extrapolated(dotted line)

C[VR]/C[VR=1V]

1.0

F=1MHz

0.5

0.2

VR (V)

0.1

100

500

7/9

1...4 5 678 9

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