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SMP100-140H225

更新时间： 2024-02-04 11:44:45
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 通信设备
页数 文件大小 规格书
9页 83K
描述
COMMUNICATION EQUIPMENT PROTECTION: TRISIL TM

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SMP100-140H225 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DO-214AA包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-C2
针数：2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.26最大转折电压：200 V
配置：SINGLE最大维持电流：225 mA
JEDEC-95代码：DO-214AAJESD-30 代码：R-PDSO-C2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
通态非重复峰值电流：60 A元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified重复峰值反向电压：120 V
子类别：DIACs表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
触发设备类型：SILICON SURGE PROTECTORBase Number Matches：1

SMP100-140H225 数据手册

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SMP100-xxx  
ELECTRICALCHARACTERISTICS (Tamb = 25°C)  
Symbol  
VRM  
IRM  
VR  
Parameter  
Stand-offvoltage  
Leakage current at stand-off voltage  
Continuous reverse voltage  
Continuous reverse current  
Breakdown voltage  
IR  
VBR  
VBO  
IH  
Breakovervoltage  
Holding current  
IBO  
Breakovercurrent  
IPP  
Peak pulse current  
Capacitance  
C
STATIC PARAMETERS  
Type  
IRM @ VRM  
max.  
IR @ VR  
max.  
VBO @ IBO  
max.  
IH  
min.  
C
typ.  
note 1  
note 2  
note 3  
note 4  
A
V
A
µ
V
V
mA  
mA  
50(typ)  
150  
150  
150  
150  
150  
150  
150  
225  
225  
225  
225  
pF  
µ
SMP100-8  
2
6
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
8
20  
800  
800  
800  
800  
800  
800  
800  
800  
800  
800  
800  
800  
100  
90  
SMP100LC-35  
SMP100-65  
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
32  
35  
55  
55  
65  
80  
160  
140  
140  
130  
120  
120  
140  
130  
130  
120  
SMP100-120  
110  
120  
170  
200  
230  
120  
170  
200  
230  
120  
140  
200  
230  
270  
140  
200  
230  
270  
160  
200  
265  
300  
350  
200  
265  
300  
350  
SMP100-140  
SMP100-200  
SMP100-230  
SMP100-270  
SMP100-140H225  
SMP100-200H225  
SMP100-230H225  
SMP100-270H225  
Note 1 : I measured at V guarantees V >V  
BR R  
Note 2 : Measuredat 50Hz, see testcircuit 1. In any case V  
Note 3 : See functional holding current test circuit 2.  
R
R
≥ V  
BR  
BOmin  
Note 4 : V =1V bias, V  
=1V, F=1MHz.  
R
RMS  
3/9  
1234567...9

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