Datasheet > SMF8.0A

SMF8.0A

更新时间： 2024-09-25 19:09:07

品牌	Logo	应用领域
虹扬 - HY		局域网光电二极管
页数	文件大小	规格书
4页	38K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 200W, 8V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon,

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SMF8.0A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	R-PDSO-F2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.33	Is Samacsys：	N
其他特性：	EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY	最大击穿电压：	9.83 V
最小击穿电压：	8.89 V	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-F2	最大非重复峰值反向功率耗散：	200 W
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大重复峰值反向电压：	8 V
表面贴装：	YES	技术：	AVALANCHE
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

SMF8.0A 数据手册

SMF SERIES

SURFACE MOUNT

UNIDIRECTIONAL AND BIDIRECTIONAL

TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS

REVERSE VOLTAGE - 5.0 to 170 Volts

POWER DISSIPATION - 200 Watts

SOD-123FL

FEATURES

● For surface mounted applications in order to

optimize board space

.114(2.9)

.098(2.5)

● Low profile space

● Glass passivated chip

● Low inductance

.039(1.0)

.024(0.6)

● Excellent clamping capability

● Very fast response time

● Typical ID less than 1µA at VWM

● 200 W peak pulse power capability

with a 10/1000 µs waveform

● Component in accordance to

RoHS 2002/95/1 and WEEE 2002/96/EC

MECHANICAL DATA

.047(1.2)

.031(0.8)

● Case: JEDEC SOD-123FL molded plastic

.043(1.1)

.020(0.5)

.154(3.9)

.138(3.5)

.004(0.1)max

.010(0.25)

.002(0.05)

over passivated chip

● Terminals: Solder plated, solderable per

MIL-STD-750 Method 2026

● Polarity: For uni-directional types the band

by laser denotes the cathode, which is

positive with respect to the anode under

normal TVS operation

Dimensions in inches and(millimeters)

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Rating at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave ,60Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%

VALUE

200

SYMBOL

UNIT

CHARACTERISTICS

Peak pulse power dissipation

PPPM

WATTS

with a 10/1000µs waveform (Note1,2)

Peak forward surge current 8.3ms single half sine-wave

Peak pulse current 10/1000μS waveform(Note 1)

Forward voltage @IF=200mA (Note 3)

IFSM

IPPM

AMPS

VOLTS

See Next Table

1.25

-55 to + 150

Operating Temperature Range

℃

-55 to + 150

Storage Temperature Range

TSTG

Notes: 1.Non-repetitive current pulse and derated above TA=25℃

2.Mounted on 5.0mm2 copper pads to each terminal.

3. 8.3ms single half-wave duty cycle=4 pulses per minutes maximum (uni-directional units only).

REV. 1, 30-Dec-2011

~ 334 ~

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与SMF8.0A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SMF8.0A/G1	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 8V V(RWM), Unidirectional,
SMF8.0A/G2	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 8V V(RWM), Unidirectional,
SMF8.0AF	SWST	获取价格	瞬态电压抑制管
SMF8.0AG	ONSEMI	获取价格	Zener Transient Voltage Suppressor SOD−123 Flat Lead Package
SMF8.0AQ	MCC	获取价格	Tape&Reel: 2.5Kpcs/Reel;
SMF8.0AQ	YANGJIE	获取价格	SOD-123FL
SMF8.0A-Q1	ANBON	获取价格	SOD-123
SMF8.0AT1	ROCHESTER	获取价格	1000W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC, CASE 498-01, SOD-123FL, 2 PIN
SMF8.0AT1	ONSEMI	获取价格	1000W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC, CASE 498-01, SOD-123FL, 2 PIN
SMF8.0A-T13	LITTELFUSE	获取价格	TVS DIODE 8V 13.6V SOD123FL

与SMF8.0A相关文章

SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

11
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

14
摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
2024-09-18

81
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
2024-09-18

72

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SMF8.0A

SMF8.0A 技术参数

SMF8.0A 数据手册

与SMF8.0A相关器件

与SMF8.0A相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SMF8.0A

SMF8.0A 技术参数

SMF8.0A 数据手册

与SMF8.0A相关器件

与SMF8.0A相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？