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SMCJ33CTR

更新时间： 2024-09-28 03:56:27

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		局域网光电二极管
页数	文件大小	规格书
7页	443K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 33V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB, PLASTIC, SMCJ, 2 PIN

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SMCJ33CTR 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DO-214AB
包装说明：	PLASTIC, SMCJ, 2 PIN	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.42
最大击穿电压：	44.9 V	最小击穿电压：	36.7 V
击穿电压标称值：	40.8 V	最大钳位电压：	59 V
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JEDEC-95代码：	DO-214AB
JESD-30 代码：	R-PDSO-J2	JESD-609代码：	e0
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值反向功率耗散：	1500 W
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-65 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性：	BIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	1.56 W
最大重复峰值反向电压：	33 V	子类别：	Transient Suppressors
表面贴装：	YES	技术：	AVALANCHE
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	J BEND
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SMCJ33E3	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 33V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
SMCJ33-E3	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 33V V(RWM), Unidirectional,
SMCJ33-E3/57T	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 33V V(RWM), Unidirectional,
SMCJ33-E3/9AT	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 33V V(RWM), Unidirectional,
SMCJ33E3/TR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 33V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
SMCJ33E3/TR13	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 33V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
SMCJ33-E31T	VISHAY	获取价格	Surface Mount TRANSZORB Transient Voltage Suppressors
SMCJ33E3TR	MICROSEMI	获取价格	1500W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMCJ, 2 PIN
SMCJ33-G	SENSITRON	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 33V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
SMCJ33HE3/57T	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 33V V(RWM), Unidirectional,