SMBJ100C

更新时间： 2024-02-16 02:29:23

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虹扬 - HY		瞬态抑制器二极管光电二极管局域网
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描述
SURFACE MOUNT UNIDIRECTIONAL AND BIDIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS

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SMBJ100C 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	DO-214AA	包装说明：	R-PDSO-C2
针数：	2	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
Factory Lead Time：	17 weeks	风险等级：	0.74
Is Samacsys：	N	最小击穿电压：	111 V
最大钳位电压：	212 V	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码：	DO-214AA	JESD-30 代码：	R-PDSO-C2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值反向功率耗散：	4000 W	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性：	BIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	5 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	100 V	子类别：	Transient Suppressors
表面贴装：	YES	技术：	AVALANCHE
端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed	端子形式：	C BEND
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
Base Number Matches：	1

SMBJ100C 数据手册

SMBJ SERIES

SURFACE MOUNT

REVERSE VOLTAGE - 5.0 to 170 Volts

POWER DISSIPATION - 600 Watts

UNIDIRECTIONAL AND BIDIRECTIONAL

TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS

FEATURES

● Rating to 200V VBR

SMB

● For surface mounted applications

● Reliable low cost construction utilizing molded plastic

technique

.083(2.11)

.075(1.91)

.155(3.94)

.130(3.30)

● Plastic material has UL recognition 94V-0

● Typical IR less than 1µA above 10V

● Fast response time:typically less than 1.0ns for

Uni-direction,less than 5.0ns fo Bi-direction,from 0 Volts

to BV min

.185(4.70)

.160(4.06)

.012(.305)

.006(.152)

MECHANICAL DATA

● Case : Molded Plastic

.096(2.44)

.084(2.13)

● Polarity:by cathode band denotes uni-directional device

none cathode band denotes bi-directional device

● Weight : 0.003 ounces, 0.093 grams

.008(.203)

.002(.051)

.060(1.52)

.030(0.76)

.220(5.59)

.200(5.08)

Dimensions in inches and(millimeters)

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Rating at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave ,60Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%

VALUE

SYMBOL

UNIT

CHARACTERISTICS

Peak Power Dissipation at T_A=25℃

P_PK

Minimum 600

WATTS

TP=1ms (NOTE1,2)

Peak Forward Surge Current

IFSM

100

AMPS

8.3ms Single Half Sine-Wave

Super Imposed on Rated Load (JEDEC Method)

5.0

PM(AV)

WATTS

VOLTS

Steady State Power Dissipation at TL=75℃

Maximum Instantaneous Forward Voltage

SEE NOTE4

at 50A for Unidirectional Devices Only (NOTE3)

-55 to + 150

-55 to + 175

Operating Temperature Range

Storage Temperature Range

℃

TSTG

NOTES:1. Non-repetitive current pulse ,per Fig. 3 and derated above TA=25℃ per Fig. 1.

2. Thermal Resistance junction to Lead.

3. 8.3ms single half-wave duty cycle=4 pulses per minutes maximum (uni-directional units only).

4. VF=3.5V on SMBJ5.0 thru SMBJ90A devices and VF=5.0V on SMBJ100 thru SMBJ170A devices.

~ 284 ~

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SMBJ100C/TR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 100V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
SMBJ100C-5B-E3	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 100V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
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