Datasheet > 二极管 > 瞬态抑制器> SMAJP4KE110A-TP

SMAJP4KE110A-TP

更新时间： 2024-11-27 13:13:35

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		/
页数	文件大小	规格书
5页	293K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 94V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AC, SMAJ, 2 PIN

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SMAJP4KE110A-TP 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DO-214AC
包装说明：	R-PDSO-C2	针数：	2
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.22
Is Samacsys：	N	其他特性：	UL RECOGNIZED
最大击穿电压：	116 V	最小击穿电压：	105 V
击穿电压标称值：	110 V	最大钳位电压：	152 V
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JEDEC-95代码：	DO-214AC
JESD-30 代码：	R-PDSO-C2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值反向功率耗散：	400 W
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性：	UNIDIRECTIONAL	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	94 V	子类别：	Transient Suppressors
表面贴装：	YES	技术：	AVALANCHE
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	C BEND
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
Base Number Matches：	1

SMAJP4KE110A-TP 数据手册

SMAJP4KE6.8(C)A

THRU

SMAJP4KE550(C)A

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Micro Commercial Components

Features

ꢀ For surface mount applicationsin in order to optimize

Transient

Voltage Suppressor

6.8 to 550 Volts

boar d space

ꢀ Low profile package

ꢀ Fast response time: typical less than 1.0ps from 0 volts to

400 Wꢀ att

V_BRminimum

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisture Sensitivity Level 1

ꢀ

DO-214AC

ꢀ UL Recognized File # E331408

ꢀ

(SMAJ)(LEAD FRAME)

ꢀ

Mechanical Data

ꢀ

CASE: JEDEC DO-214AC

Terminals: solderable per MIL-STD-750, Method 2026

Polarity: Color band denotespositive end (cathode)

except Bidirectional

Maximum soldering temperature: 250^oC for 10 seconds

ꢀ

Maximum Ratings @ 25^oC Unless Otherwise Specified

Peak Pulse Current on

10/1000us waveform

I_PP

See Table 1 Note: 1

Peak Pulse Power

P_PP

400W

40A

Note: 1,

Note: 3

DIMENSIONS

Dissipation

INCHES

MIN

.079

.050

.002

---

MIN

2.00

1.27

.05

DIM

MAX

2.44

1.63

.20

NOTE

Peak Forward Surge

Current

I_FSM)

.096

.064

.008

.02

---

.51

-55^oC to

+150^oC

.030

.065

.189

.157

.090

.060

.091

.220

.181

.115

.76

1.52

2.32

5.59

4.60

2.92

Operation And Storage T_J, T_STG

Temperature Range

1.65

4.80

4.00

2.25

SUGGESTED SOLDER

PAD LAYOUT

0.090”

MAX

0.058 ”

MIN

NOTES:

1. Non-repetitive current pulse, per Fig.3 and derated above

T_A=25^oC per Fig.2.

2. Mounted on 5.0mm²copper pads to each terminal.

3. 8.3ms, single half sine wave duty cycle=4 pulses per. Minute

maximum.

0.070"

MIN

www.mccsemi.com

1 of 5

Revision: B

2011/09/16

12 3 4 5

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与SMAJP4KE110A-TP相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SMAJP4KE110ATR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 94V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
SMAJP4KE110ATRE3	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 94V V(RWM), Unidirectional,
SMAJP4KE110CA	MCC	获取价格	Tape: 5K/Reel, 80K/Ctn;
SMAJP4KE110CAE3	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 94V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-21
SMAJP4KE110CAHE3	MCC	获取价格	Tape: 5K/Reel, 80K/Ctn;
SMAJP4KE110CAQ	MCC	获取价格	Tape: 5K/Reel, 80K/Ctn;
SMAJP4KE110CE3	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 89.2V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
SMAJP4KE110C-TP-HF	MCC	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode
SMAJP4KE110CTR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 89.2V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
SMAJP4KE110CTRE3	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 89.2V V(RWM), Bidirectional,

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