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SM5818

更新时间： 2024-01-04 20:05:17
品牌 Logo 应用领域
森美特 - SUNMATE 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 277K
描述
1A Patch Schottky diode 30V DO-213 series

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SM5818 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：MELF包装说明：O-PELF-R2
针数：2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.67其他特性：METALLURGICALLY BONDED
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：O-PELF-R2JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：2
最大输出电流：1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：30 V表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：WRAP AROUND端子位置：END
处于峰值回流温度下的最长时间：10Base Number Matches：1

SM5818 数据手册

 浏览型号SM5818的Datasheet PDF文件第2页 
SM5817 - SM5819  
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODES  
VOLTAGE RANGE: 20 - 40V  
CURRENT: 1.0 A  
Features  
!
!
!
Schottky Barrier Chip  
Ideally Suited for Automatic Assembly  
Low Power Loss, High Efficiency  
A
!
!
For Use in Low Voltage Application  
Guard Ring Die Construction  
B
!
Plastic Case Material has UL Flammability  
ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ  
C
Classification Rating 94V-O  
Mechanical Data  
LL41 /DO-213AB  
/
!
!
Case: LL41(DO-213AB)  
Dim  
A
Min  
4.80  
2.40  
Max  
5.20  
2.60  
Terminals: Solder Plated, Solderable  
per MIL-STD-750, Method 2026  
Polarity: Cathode Band or Cathode Notch  
B
!
C
0.55 Nominal  
All Dimensions in mm  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
TA = 25ꢀC unless otherwise specified  
For capacitive load, derate current by 20%.  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
Characteristic  
Symbol  
Unit  
SM5817  
SM5818  
SM5819  
20  
14  
20  
30  
21  
30  
40  
28  
40  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
V
V
V
Maximum DC Blocking Voltage  
Maximum Average Forward  
I(AV)  
1.0  
40  
A
Rectified Current  
@TA =75 ℃  
Peak Forward Surage Current  
8.3ms Single Half Sine-Wave  
IFSM  
A
Super Imposed on Rated Load(JEDEC Method)  
Maximum Forward Voltage at 1.0A DC  
0.450  
0.750  
0.550  
0.875  
0.600  
0.900  
VF  
VF  
V
V
Maximum Forward Voltage at 3.0A DC  
1.0  
10  
Maximum DC Reverse Current  
at Rated DC Bolcking Voltage  
@TJ=25℃  
@TJ=100℃  
IR  
mA  
110  
80  
Typical Junction Capacitance (Note1)  
Typical Thermal Resistance (Note2)  
Operating Temperature Range  
Storage Temperature Range  
CJ  
R JA  
TJ  
pF  
℃/W  
℃
-55 to +150  
-55 to +150  
TSTG  
℃
NOTES: 1.Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC  
2.Thermal resistance junction to ambient,  
1 of 2  
www.sunmate.tw  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SM5818.1A-DO-213AB DGNJDZ

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SM5818-T RECTRON

获取价格

 		Rectifier Diode,
SM5818-T/R FRONTIER

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, Silicon

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