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SM5010CL4S

更新时间： 2024-02-07 21:32:50
品牌 Logo 应用领域
NPC 振荡器晶体振荡器
页数 文件大小 规格书
14页 157K
描述
Crystal Oscillator Module ICs

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SM5010CL4S 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：SOP8,.25Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.65JESD-609代码：e0
安装特点：SURFACE MOUNT端子数量：8
标称工作频率：30 MHz最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出低电流：16 mA
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装等效代码：SOP8,.25
电源：3/5 V认证状态：Not Qualified
子类别：Other Oscillators最大压摆率：10 mA
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：1

SM5010CL4S 数据手册

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SM5010 s eries  
Electrical Characteristics  
5010×N× series  
3 V operation: V = 2.7 to 3.6 V, V = 0 V, Ta = −10 to 70 °C unless otherwise noted.  
DD  
SS  
Rating  
Parameter  
Symbol  
Condition  
Q: Measurement cct 1, V = 2.7 V, I = 8 mA  
Unit  
min  
2.1  
–
typ  
2.4  
0.3  
–
ma x  
–
HIGH-level output voltage  
LOW -level output voltage  
V
V
V
OH  
DD  
OH  
V
Q: Measurement cct 2, V = 2.7 V, I = 8 mA  
0.4  
10  
10  
–
OL  
DD  
OL  
Q: Measurement cct 2, INH = LOW, V = 3.6 V, V  
= V  
–
DD  
OH  
DD  
Output leakage current  
I
µA  
Z
Q: Measurement cct 2, INH = LOW, V = 3.6 V, V = V  
–
–
DD  
OL  
S S  
HIGH-level input voltage  
LOW -level input voltage  
V
INH  
INH  
2.0  
–
–
V
V
IH  
V
–
0.5  
IL  
5010  
5010  
5010  
5010  
×
×
×
×
N1  
N2  
N3  
N4  
Measurement cct 3, load cct 1,  
Current consumption  
I
mA  
TBD  
DD  
INH = open, C = 15 pF, f = 30 MHz  
L
INH pull-up resistance  
Feedback resistance  
R
Measurement cct 4  
Measurement cct 5  
–
–
100  
200  
–
–
k
k
Ω
Ω
UP 1  
R
f
Oscillator amplifier output  
resistance  
R
Design value  
5010B××  
–
820  
–
Ω
D
C
pF  
pF  
G
D
Design value, determined by the internal  
wafer pattern  
Built-in capacitance  
5010A××, 5010B××  
TBD  
C
5010×N×, ×K× series  
5 V operation: V = 4.5 to 5.5 V, V = 0 V, Ta = −40 to 85 °C unless otherwise noted.  
DD  
SS  
Rating  
Parameter  
Symbol  
Condition  
Q: Measurement cct 1, V = 4.5 V, I = 16 mA  
Unit  
min  
3.9  
–
typ  
4.2  
0.3  
–
ma x  
–
HIGH-level output voltage  
LOW -level output voltage  
V
V
V
OH  
DD  
OH  
V
Q: Measurement cct 2, V = 4.5 V, I = 16 mA  
0.4  
10  
10  
–
OL  
DD  
OL  
Q: Measurement cct 2, INH = LOW, V = 5.5 V, V  
= V  
–
DD  
OH  
DD  
Output leakage current  
I
µA  
Z
Q: Measurement cct 2, INH = LOW, V = 5.5 V, V = V  
–
–
DD  
OL  
S S  
HIGH-level input voltage  
LOW -level input voltage  
V
INH  
INH  
2.0  
–
–
V
V
IH  
V
–
0.8  
IL  
5010  
5010  
5010  
5010  
×
×
×
×
N1  
N2  
N3  
N4  
Measurement cct 3, load cct 2,  
INH = open, C = 50 pF, f = 30 MHz  
L
Current consumption  
I
mA  
TBD  
DD  
Measurement cct 3, load cct 1,  
5010  
×
K ×  
INH = open, C = 15 pF, f = 30 MHz  
L
INH pull-up resistance  
Feedback resistance  
R
Measurement cct 4  
Measurement cct 5  
–
–
100  
200  
–
–
k
k
Ω
Ω
UP 1  
R
f
Oscillator amplifier output  
resistance  
R
Design value  
5010B××  
–
820  
–
Ω
D
C
pF  
pF  
G
D
Design value, determined by the internal  
wafer pattern  
Built-in capacitance  
5010A××, 5010B××  
TBD  
C
NIPPON PRECISION CIRCUITS—5  
12345678...14

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