5秒后页面跳转
SM12808DT-6.6 PDF预览

SM12808DT-6.6

更新时间: 2024-01-12 16:21:56
品牌 Logo 应用领域
铁电 - RAMTRON 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 153K
描述
Synchronous DRAM Module, 32MX64, 4.5ns, CMOS, DIMM-168

SM12808DT-6.6 技术参数

是否无铅: 含铅生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIMM包装说明:DIMM,
针数:168Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.36
风险等级:5.75访问模式:DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间:4.5 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-XDMA-N168
内存密度:2147483648 bit内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度:64功能数量:1
端口数量:1端子数量:168
字数:33554432 words字数代码:32000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:32MX64
输出特性:3-STATE封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:DIMM封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY认证状态:Not Qualified
刷新周期:4096自我刷新:YES
子类别:DRAMs最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:NO LEAD
端子位置:DUALBase Number Matches:1

SM12808DT-6.6 数据手册

 浏览型号SM12808DT-6.6的Datasheet PDF文件第1页浏览型号SM12808DT-6.6的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SM12808DT-6.6的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SM12808DT-6.6的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SM12808DT-6.6的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SM12808DT-6.6的Datasheet PDF文件第7页 
CAS2/150MHz HSDRAM  
64MB, 128MB DIMM  
Preliminary Data Sheet  
64MB DIMM Functional Block Diagram – SM6408DT-6.6  
S0#  
Clock Wiring  
4 SDRAM+3.3 pf  
Termination  
4 SDRAM+3.3 pf  
Termination  
CK0  
CK1  
CK2  
CK3  
DQMB0  
DQMB1  
DQMB4  
DQMB5  
U0  
U1  
U4  
DQ(7:0)  
DQ(39:32)  
DQ(47:40)  
10  
CK0,2  
SDRAMs  
U5  
DQ(15:8)  
Clock Termination  
10  
CK1,3  
10 pf  
S2#  
DQMB2  
DQMB6  
DQMB7  
SDA  
WP  
SCL  
U2  
U3  
U6  
Serial PD  
DQ(23:16)  
DQ(55:48)  
DQ(63:56)  
SA0-2  
47K  
BA0  
BA0 SDRAM U0-7  
BA1 SDRAM U0-7  
DQMB3  
BA1  
A0-A11  
Vdd  
U7  
DQ(31:24)  
A0-A11 SDRAM U0-7  
Vdd SDRAM U0-7  
Vss  
Vss SDRAM U0-7  
RAS#  
RAS# SDRAM U0-7  
CAS# SDRAM U0-7  
WE# SDRAM U0-7  
CKE0 SDRAM U0-7  
CAS#  
WE#  
CKE0  
Note: All DQ resistor values are 10 ohms  
All CK resistor values are 10 ohms  
U0-U7 are SM3603T-6.6  
Enhanced Memory Systems Inc., 1850 Ramtron Dr., Colo Spgs, CO 80921  
PHONE: (800) 545-DRAM; FAX: (719) 488-9095; http://www.edram.com  
2000 Enhanced Memory Systems. All rights reserved.  
The information contained herein is subject to change without notice.  
Revision 1.0  
Page 3 of 12  

与SM12808DT-6.6相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SM12808DT-7.5 RAMTRON

获取价格

Synchronous DRAM Module, 16MX64, 4.6ns, CMOS, PDMA168,
SM12809ALDT-7.5 RAMTRON

获取价格

Synchronous DRAM Module, 16MX72, 5.4ns, CMOS, DIMM-168
SM12809DT-6.6 CYPRESS

获取价格

Synchronous DRAM Module, 16MX72, CMOS,
SM12809DT-6.6 RAMTRON

获取价格

Synchronous DRAM Module, 32MX72, 4.5ns, CMOS, DIMM-168
SM12809DT-7.5 CYPRESS

获取价格

Synchronous DRAM Module, 16MX72, 4.6ns, CMOS, PDMA168,
SM12A MIC

获取价格

SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
SM12AT1 ONSEMI

获取价格

450W, BIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, TO-236, PLASTIC, CASE 318-08, SOT-23,
SM12AT1G ONSEMI

获取价格

450W, BIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, TO-236, LEAD FREE, PLASTIC, CASE 318-0
SM12B MCC

获取价格

Tape : 3K/Reel , 120K/Ctn;
SM12BC BL Galaxy Electrical

获取价格

12V,350W,Surface Mount TVS