是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | R-PDSO-G3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.50 |
风险等级: | 1.18 | 其他特性: | EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY |
最大击穿电压: | 15.75 V | 最小击穿电压: | 13.3 V |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | COMMON ANODE, 2 ELEMENTS |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 最大非重复峰值反向功率耗散: | 300 W |
元件数量: | 2 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性: | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散: | 0.225 W |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 12 V |
表面贴装: | YES | 技术: | AVALANCHE |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 10 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SM12AT1 | ONSEMI |
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450W, BIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, TO-236, PLASTIC, CASE 318-08, SOT-23, |
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SM12AT1G | ONSEMI |
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450W, BIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, TO-236, LEAD FREE, PLASTIC, CASE 318-0 |
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SM12B | MCC |
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Tape : 3K/Reel , 120K/Ctn; |
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SM12BC | BL Galaxy Electrical |
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12V,350W,Surface Mount TVS |
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SM12B-GHDS-A-GAN-TF | JST |
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为满足平板电视、影音设备等PC板高密度封装的要求,该连接器设计成1.25mm间距的双排式。 |
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SM12B-GHDS-A-TF | JST |
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为了符合多种设备的高密度电路板的设计,GHD连接器设计成1.25mm间距,双排型的连接器。 |
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SM12B-GHDS-GAN-TF | JST |
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为满足平板电视、影音设备等PC板高密度封装的要求,该连接器设计成1.25mm间距的双排式。 |
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SM12B-GHS-TB | JST |
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为PDP、LCD或小型电子设备开发。这种低插入力型连接器实现了更容易的嵌合操作。这种连接器 |
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SM12B-NSHSS-TB | JST |
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1.0mm间距安全锁式连接器。这种低插入力型连接器实现了更容易的嵌合操作。该连接器接触部分 |
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SM12B-PASS-1-TB | JST |
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带安全锁定装置的2.0mm间距连接器*安全锁定装置外壳具有锁定装置,以防止由于布线或振动以 |
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