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SKKH71/18E

更新时间: 2024-02-10 22:33:35
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 局域网栅极
页数 文件大小 规格书
4页 942K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 125A I(T)RMS, 70000mA I(T), 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 1 Element, CASE A 6, SEMIPACK 1, 4 PIN

SKKH71/18E 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-240
包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X4针数:3
Reach Compliance Code:compliantHTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.84其他特性:HIGH RELIABILITY, UL RECOGNIZED
外壳连接:ISOLATED标称电路换相断开时间:80 µs
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE关态电压最小值的临界上升速率:1000 V/us
最大直流栅极触发电流:150 mA最大直流栅极触发电压:3 V
快速连接描述:G螺丝端子的描述:A-K-AK
最大维持电流:250 mAJESD-30 代码:R-XUFM-X4
JESD-609代码:e2最大漏电流:20 mA
通态非重复峰值电流:1600 A元件数量:1
端子数量:4最大通态电流:70000 A
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大均方根通态电流:125 A
重复峰值关态漏电流最大值:20000 µA断态重复峰值电压:1800 V
重复峰值反向电压:1800 V子类别:Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装:NO端子面层:Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

SKKH71/18E 数据手册

 浏览型号SKKH71/18E的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SKKH71/18E的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SKKH71/18E的Datasheet PDF文件第4页 
SKKT 71, SKKH 71 THYRISTOR BRIDGE,SCR,BRIDGE  
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Symbol Conditions  
Values  
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Units  
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SKKT  
SKKH  
1
13-10-2004 NOS  
© by SEMIKRON  

与SKKH71/18E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SKKH71/20E SEMIKRON

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 125A I(T)RMS, 70000mA I(T), 2000V V(DRM), 2000V V(RRM), 1 El
SKKH72/06D SEMIKRON

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Silicon Controlled Rectifier, 125.6A I(T)RMS, 70000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 El
SKKH72/08E SEMIKRON

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SKKH72/16EG6 SEMIKRON

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 125.6A I(T)RMS, 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 2 Element, SEMIP
SKKH72/18EG6 SEMIKRON

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 1 Element, SEMIPACK 1, 5 PIN
SKKH72/20E SEMIKRON

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 125.6A I(T)RMS, 70000mA I(T), 2000V V(DRM), 2000V V(RRM), 1