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SKKH91/04D

更新时间： 2024-02-10 10:15:08
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 可控硅二极管
页数 文件大小 规格书
5页 293K
描述
SEMIPACK1 Thyristor / Diode Modules

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SKKH91/04D 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-240
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X4针数：3
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.81其他特性：HIGH RELIABILITY, UL RECOGNIZED
外壳连接：ISOLATED标称电路换相断开时间：100 µs
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE关态电压最小值的临界上升速率：500 V/us
最大直流栅极触发电流：150 mA最大直流栅极触发电压：3 V
快速连接描述：G螺丝端子的描述：A-K-AK
最大维持电流：250 mAJESD-30 代码：R-XUFM-X4
JESD-609代码：e2最大漏电流：20 mA
通态非重复峰值电流：2000 A元件数量：1
端子数量：4最大通态电流：95000 A
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：150 A
重复峰值关态漏电流最大值：20000 µA断态重复峰值电压：400 V
重复峰值反向电压：400 V子类别：Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：NO端子面层：Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED触发设备类型：SCR

SKKH91/04D 数据手册

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SEMIPACK® 1  
Thyristor / Diode Modules  
VRSM VRRM (dv/  
VDRM dt)cr  
ITRMS (maximum value for continuous operation)  
150 A  
ITAV (sin. 180; Tcase = 85°C)  
95 A  
V
V
V/µs  
SKKT 91  
SKKT 92  
SKKT 92B  
SKKL 922)  
SKKH 91  
SKKH 92  
SKMT 922)  
500 400 500  
–
–
SKKH 91/04 D  
–
700 600 500 SKKT 91/06 D SKKT 92/06 D  
SKKH 91/06 D SKKH 92/06 D  
900 800 500 SKKT 91/08 D SKKT 92/08 D  
SKKH 91/08 D SKKH 92/08 D  
1300 1200 1000 SKKT 91/12 E SKKT 92/12 E1) SKKH 91/12 E SKKH 92/12 E  
1500 1400 1000 SKKT 91/14 E SKKT 92/14 E1) SKKH 91/14 E SKKH 92/14 E  
1700 1600 1000 SKKT 91/16 E SKKT 92/16 E1) SKKH 91/16 E SKKH 92/16 E  
1900 1800 1000 SKKT 91/18 E SKKT 92/18 E1) SKKH 91/18 E SKKH 92/18 E  
SKKT 91 SKKT 92  
SKKH 91 SKKT 92B Units  
SKKH 92  
Symbol Conditions  
ITAV  
ID  
sin. 180; Tcase = 85°C  
95  
70 / 85  
140/ 175  
190 / 3 x 135  
A
A
A
A
B2/B6  
Tamb = 45 °C; P 3/180  
Tamb = 35 °C; P 3/180 F  
Tamb = 35 °C; P 3/180 F  
IRMS  
ITSM  
W1/W3  
2 000  
1 750  
20 000  
15 000  
A
A
A2s  
A2s  
Tvj = 25 °C; 10 ms  
Tvj = 125 °C; 10 ms  
Tvj = 25 °C; 8,3 ... 10 ms  
Tvj = 125 °C; 8,3 ... 10 ms  
i2t  
SKKT 91  
SKKH 91  
SKKH 92  
tgd  
tgr  
Tvj = 25 °C; IG = 1 A;  
diG/dt = 1 A/µs  
1
2
µs  
µs  
VD = 0,67 . VDRM  
(di/dt)cr  
Tvj = 125 °C  
Tvj = 125 °C  
Tvj = 25 °C; max.  
Tvj = 25 °C; RG = 33 Ω; max.  
150  
typ. 100  
250  
A/µs  
µs  
mA  
mA  
SKKT 92  
SKKT 92B  
tq  
IH  
IL  
600  
VT  
VT(TO)  
rT  
Tvj = 25 °C; IT = 300 A  
Tvj = 125 °C  
Tvj = 125 °C  
max. 1,65  
V
V
mΩ  
0,9  
2
SKMT 92  
Features  
SKKL 92  
IDD; IRD  
Tvj = 125 °C; VRD = VRRM  
VDD = VDRM  
max. 20  
mA  
VGT  
IGT  
VGD  
IGD  
Tvj = 25 °C; d.c.  
Tvj = 25 °C; d.c.  
Tvj = 125 °C; d.c.  
Tvj = 125 °C; d.c.  
3
150  
0,25  
6
V
mA  
V
• Heat transfer through aluminium  
oxide ceramic isolated metal  
baseplate  
• Hard soldered joints for high  
reliability  
mA  
Rthjc  
cont.  
0,28 / 0,14  
0,30 / 0,15  
0,32 / 0,16  
0,2 / 0,1  
– 40 ... + 125  
– 40 ... + 125  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
°C  
sin. 180  
rec. 120  
per thyristor /  
per module  
• UL recognized, file no. E 63 532  
Rthch  
Tvj  
Tstg  
Typical Applications  
• DC motor control (e.g. for  
machine tools)  
°C  
Visol  
M1  
M2  
a
a. c. 50 Hz; r.m.s; 1 s/1 min  
to heatsink  
3600 / 3000  
5 (44 lb. in.) + 15 %3)  
3 (26 lb. in.) + 15 %  
5 . 9,81  
V~  
Nm  
Nm  
m/s2  
g
• AC motor soft starters  
• Temperature control (e.g. for  
ovens, chemical processes)  
• Professional light dimming  
(studios, theaters)  
SI (US) units  
to terminals  
w
approx.  
95  
Case  
→ page B 1 – 95  
SKKT 91: A 5  
SKKL 92: A 59  
1) Also available in SKKT 92B  
configuration (case A 48)  
2) SKKL 92, SKMT 92 available  
on request  
SKKH 91: A 6  
SKKH 92: A 47  
SKKT 92: A 46  
SKKT 92B: A 48  
SKMT 92: A 72  
3) See the assembly instructions  
© by SEMIKRON  
0898  
B 1 – 51  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SKKH91/06D SEMIKRON

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 		SEMIPACK1 Thyristor / Diode Modules
SKKH91/08D SEMIKRON

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SKKH91/14D20 SEMIKRON

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 		Silicon Controlled Rectifier, 95000mA I(T), 1400V V(RRM)
SKKH91/14D25 SEMIKRON

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 		Silicon Controlled Rectifier, 95000mA I(T), 1600V V(RRM),
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 		Silicon Controlled Rectifier, 95000mA I(T), 1600V V(RRM),
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