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SKET400/16E

更新时间: 2024-02-08 08:56:00
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 栅极触发装置可控硅整流器局域网
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3页 697K
描述
Thyristor Modules

SKET400/16E 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5
针数:5Reach Compliance Code:compliant
HTS代码:8541.30.00.80风险等级:5.7
Is Samacsys:N其他特性:HIGH RELIABILITY, UL RECOGNIZED
外壳连接:ISOLATED标称电路换相断开时间:200 µs
配置:SINGLE关态电压最小值的临界上升速率:1000 V/us
最大直流栅极触发电流:200 mA最大直流栅极触发电压:3 V
快速连接描述:G-GR螺丝端子的描述:A-K
最大维持电流:500 mAJESD-30 代码:R-XUFM-X5
JESD-609代码:e2最大漏电流:120 mA
通态非重复峰值电流:14000 A元件数量:1
端子数量:5最大通态电流:400000 A
最高工作温度:130 °C最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大均方根通态电流:700 A
重复峰值关态漏电流最大值:80000 µA断态重复峰值电压:1600 V
重复峰值反向电压:1600 V子类别:Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装:NO端子面层:Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

SKET400/16E 数据手册

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SKET 400  
Fig. 1L Power dissipation per thyristor vs. on-state current  
Fig. 1R Power dissipation per thyristor vs. ambient temp.  
Fig. 6 Transient thermal impedance vs. time  
Fig. 8 Surge overload current vs. time  
Fig. 5 Recovered charge vs. current decrease  
Fig. 7 On-state characteristics  
2
09-02-2004 NOS  
© by SEMIKRON  

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