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SK40GAL067

更新时间: 2025-07-30 03:31:55
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
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2页 287K
描述
IGBT Module

SK40GAL067 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X14
针数:14Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.82Is Samacsys:N
其他特性:FAST外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):62 A集电极-发射极最大电压:600 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODEJESD-30 代码:R-XUFM-X14
JESD-609代码:e2元件数量:1
端子数量:14最高工作温度:150 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子面层:Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICON标称断开时间 (toff):298 ns
标称接通时间 (ton):30 nsBase Number Matches:1

SK40GAL067 数据手册

 浏览型号SK40GAL067的Datasheet PDF文件第2页 
SK 40 GB 067  
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SK 40 GB 067  
SK 40 GAR 067  
SK 40 GAL 067  
Target Data  
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12-10-2005 RAM  
© by SEMIKRON  

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