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SI3442DV_NL

更新时间： 2024-02-10 09:11:49
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 69K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPERSOT-6

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SI3442DV_NL 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SUPERSOT-6
针数：6Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.26
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：4.1 A最大漏极电流 (ID)：4.1 A
最大漏源导通电阻：0.06 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.8 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI3442DV_NL 数据手册

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Typical Electrical and Thermal Characteristics (continued)  
2
25  
VDS = 5V  
1a  
20  
1.5  
T = -55°C  
J
25°C  
125°C  
15  
1b  
1c  
1
0.5  
0
10  
5
4.5"x5" FR-4 Board  
TA  
25o  
Still Air  
=
C
0
0
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1
0
2
4
6
8
10  
2
2oz COPPER MOUNTING PAD AREA (in  
)
I
, DRAIN CURRENT (A)  
D
Figure 14. SuperSOTTM-6 Maximum Steady-State  
Figure 13. Transconductance Variation with  
Power Dissipation versus Copper Mounting Pad  
Area.  
Drain Current and Temperature.  
5
4.5  
4
20  
10  
5
1a  
2
1
3.5  
1b  
0.5  
1c  
VGS = 4.5V  
0.2  
0.1  
3
4.5"x5" FR-4 Board  
SINGLE PULSE  
TA = 25 o  
C
RJA = See Note 1c  
q
Still Air  
0.05  
2.5  
2
TA = 25°C  
VGS= 4.5V  
0.02  
0.01  
0
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
)
1
0.1  
0.2  
0.5  
DS  
1
2
5
10  
20  
40  
2
2oz COPPER MOUNTING PAD AREA (in  
V
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)  
Figure 15. Maximum Steady-State Drain Current  
versus Copper Mounting Pad Area.  
Figure 16. Maximum Safe Operating Area.  
1
D = 0.5  
0.5  
R
(t) = r(t) * R  
JA  
q
JA  
q
R
0.2  
0.1  
0.2  
0.1  
= See Note 1c  
JA  
q
P(pk)  
0.05  
0.05  
t1  
0.02  
0.01  
t2  
0.02  
0.01  
T
- T = P * R  
(t)  
J
A
JA  
q
Single Pulse  
Duty Cycle, D = t / t  
2
1
0.005  
0.00001  
0.0001  
0.001  
0.01  
0.1  
1
10  
100  
300  
t 1, TIME (sec)  
Figure 17. Transient Thermal Response Curve.  
Note: Thermal characterization performed using the conditions described in note 1c. Transient thermal response will change  
depending on the circuit board design.  
SI3442DV Rev.A  
1...34567

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