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Datasheet > 二极管 > 桥式整流二极管> SHB601052G
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SHB601052G

更新时间： 2024-11-25 03:32:15
品牌 Logo 应用领域
SENSITRON /
页数 文件大小 规格书
3页 56K
描述
SILICON CARBIDE 3-PHASE FULL WAVE BRIDGE

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SHB601052G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-258
包装说明：R-MSFM-P5针数：3
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.73配置：BRIDGE, 6 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：MO-078AAJESD-30 代码：R-MSFM-P5
最大非重复峰值正向电流：100 A元件数量：6
相数：3端子数量：5
最大输出电流：5 A封装主体材料：METAL
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大功率耗散：60 W
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：PIN/PEG端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

SHB601052G 数据手册

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SENSITRON  
SHB601052G  
Technical Data  
Datasheet 4288 REV. –  
SILICON CARBIDE 3-PHASE FULL WAVE BRIDGE  
DESCRIPTION: 1200-VOLT, 5 AMP POWER SILICON CARBIDE 3-PHASE FULL WAVE BRIDGE IN A  
HERMETIC 5-PIN TO-258 (MO-078) PACKAGE.  
FEATURES:  
•
•
NO RECOVERY TIME OR REVERSE RECOVERY LOSSES  
NO TEMPERATURE INFLUENCE ON SWITCHING BEHAVIOR  
MAXIMUM RATINGS  
RATING  
ALL RATINGS ARE @ TC = 25 °C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED.  
SYMBOL  
PIV  
MAX.  
1200  
5
UNITS  
Volts  
PEAK INVERSE VOLTAGE  
MAXIMUM DC OUTPUT CURRENT (With TC = 65 OC) PER LEG  
IO  
Amps  
Amps  
MAXIMUM REPETITIVE FORWARD SURGE CURRENT  
(t = 8.3ms, Sine) per leg, TC = 25 OC  
IFRM  
30  
MAXIMUM NON-REPETITIVE FORWARD SURGE CURRENT  
IFSM  
100  
Amps  
(t = 10µs, pulse) per leg, TC = 25 OC  
MAXIMUM JUNCTION CAPACITANCE (Vr =5V) per leg  
MAXIMUM POWER DISSIPATION, TC = 25 OC  
CT  
Pd  
450  
60  
pF  
W
MAXIMUM THERMAL RESISTANCE, Junction to Case  
MAXIMUM OPERATING AND STORAGE TEMPERATURE RANGE  
0.6  
RθJC  
°C/W  
°C  
Top, Tstg  
-55 to  
+175  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
CHARACTERISTIC  
TYP  
MAX.  
UNITS  
1.65  
2.55  
1.80  
3.00  
MAXIMUM FORWARD VOLTAGE DROP (If = 5 A PER LEG) Vf TJ=25 °C  
Volts  
TJ=150 °C  
MAXIMUM REVERSE CURRENT (1200V PIV PER LEG) Ir TJ = 25 °C  
TJ = 150 °C  
0.05  
0.10  
0.20  
1.00  
mA  
nC  
28  
N/A  
TOTAL CAPACITANCE CHARGE (VR=1200V, IF=5A, di/dt=500A/µs and  
TJ=25°C) QC per leg  
Application Note: Customers should be aware that at the current stage of technical development of SiC, the reverse avalanche  
capabilities of the device are limited.  
Customer designs will need to accommodate these limitations and avoid exposure of the device to this and other potentially  
damaging conditions in their applications.  
• 221 WEST INDUSTRY COURT • DEER PARK, NY 11729-4681 • PHONE (631) 586-7600 • FAX (631) 242-9798 •  
• World Wide Web - http://www.sensitron.com • E-mail Address - sales@sensitron.com •  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		暂无描述
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