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SGM4075-1

更新时间: 2024-04-09 19:02:33
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圣邦微 - SGMICRO 电池开关
页数 文件大小 规格书
16页 799K
描述
电池脱离及冷复位开关

SGM4075-1 数据手册

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SGM4075-1  
电池脱离及冷复位开关  
电气参数规格表  
如无另外说明,规格表中的参数值均在以下条件下测量:VBAT = 3.6VDELAY_ADJ 连接到 VBATVOUT 对地接 36Ω 负载,TA = +25。  
参数  
符号  
测试条件  
最小值 典型值 最大值 单位  
V
BAT = 5.5V  
18  
20  
42  
44  
45  
66  
36  
37  
87  
输入输出导通电阻  
WLCSP-1.31×1.62-12B)  
RON  
VBAT = 3.6V  
VBAT = 1.5V  
mΩ  
mΩ  
V
BAT = 5.5V  
输入输出导通电阻  
TDFN-3×3-8L)  
RON  
VBAT = 3.6V  
VBAT = 1.5V  
nSR0  
SYS_WAKE 开路DELAY_ADJ 连接 VBATnOFF 接地,  
关机电流  
ISD  
IQ  
0.7  
1
1.5  
2
μA  
μA  
V
OUT 悬空。  
SYS_WAKEnSR0VOUT 开路DELAY_ADJ 连接 VBATnOFF  
VBAT 时的开关导通状态。  
静态工作电流  
IFSRG  
IRSRG  
VUVLOr  
VUVLOt  
VDIS  
导通状态 VBAT VOUT 两点正负双向浪涌。  
开路和未开通电源状态 VOUT VBAT 正电压。  
欠压逻辑锁定释放电压。  
9
9
V
V
1.2μs/50μs 浪涌电压(图 6)  
1.38  
0.1  
0.4  
65  
1.5  
90  
V
有效起始工作电压  
欠压逻辑锁定电压滞回。  
V
放电残余电压门限  
等效放电电阻  
V
RPD  
RESET 期间向 VOUT 注入 10mA。  
SYS_WAKEnOFF nSR0 输入。  
Ω
V
逻辑高电平阈值  
逻辑低电平阈值  
nOFF 端输入漏电流  
VIH  
1.2  
VIL  
0.4  
1.5  
V
IB  
nOFF 分别对 VBAT GND 的静态漏电。  
SYS_WAKE 向上改出时。  
nSR0 向下改出时。  
0.1  
0.7  
0.6  
μA  
V
VCOERU  
VCOERD  
改出电压  
V
SYS_WAKE高有效选项上拉到高逻辑态的过程中需要外部提供  
的最大吸入电流。  
ICOERSNK  
ICOERSRC  
-50  
45  
改出电流  
时序参数  
μA  
nSR0 低有效选项下拉到低逻辑态时需要外部吸入的最大灌出  
电流。  
上电和复位时序(图 78 9)  
开通延迟时间  
tVON  
tPHL  
tREC  
RL = 5kΩ  
RL = 5kΩ  
RL = 5kΩ  
230  
7.7  
ms  
s
复位延迟时间  
6.2  
9.2  
最短开路复位时间  
SYS_WAKE 启时序(图 13)  
376  
468  
541  
ms  
开通延迟时间  
OUT 上升时间  
tDON_SYS_WAKE  
tR  
230  
3
ms  
ms  
V
V
BAT = 3.6VRL = 5ΩCL = 100μF  
开通时间,SYS_WAKE 至  
VOUT  
tON_SYS_WAKE  
233  
ms  
nOFF 开启和关断时序(图 1011 12)  
开通延迟时间  
tDON_nOFF  
tON_nOFF  
tDSD  
tF  
4
7
ms  
ms  
ms  
ms  
ms  
μs  
V
BAT = 3.6VRL = 5ΩCL = 100μF  
开通时间,nOFF VOUT  
关断延迟时间  
1.8  
10  
V
OUT 下降时间  
VBAT = 3.6VRL = 150ΩCL = 100μF  
关断时间  
tOFF  
11.8  
450  
1.9  
15  
nSR0 nOFF 同时窗口  
触发响应保持时间  
短时间释放宽容相对时间  
tCO  
认定 nSR0 输入有效和 nOFF 拉低同时的窗口时间。  
SYS_WAKE 脉冲触发后最短开通。  
400  
500  
tM  
s
tTOL  
ms  
SG Micro Corp  
www.sg-micro.com  
FEBRUARY 2019  
4

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