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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | 其他特性： | HIGH SPEED SWITCHING |
| 最大集电极电流 (IC)： | 16 A | 集电极-发射极最大电压： | 1200 V |
| 配置： | SINGLE | 最大降落时间（tf）： | 160 ns |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 7.5 V | 门极-发射极最大电压： | 25 V |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 180 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | MOTOR CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 80 ns | 标称接通时间 (ton)： | 15 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SGL10N60RUFD | FAIRCHILD |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 16A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-264AA, TO-264, 3 |
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| SGL10N60RUFD | SAMSUNG |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 16A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-264, TO-264, 3 P |
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| SGL1-100 | DIOTEC |
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Surface Mount Schottky-Rectifiers |
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| SGL1-100 | SEMIKRON |
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Schottky barrier rectifiers diodes |
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| SGL1-20 | SEMIKRON |
获取价格 |
Schottky barrier rectifiers diodes |
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| SGL1-20 | DIOTEC |
获取价格 |
Surface Mount Schottky-Rectifiers |
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| SGL1-20_07 | DIOTEC |
获取价格 |
Surface Mount Schottky Rectifiers |
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| SGL1-20_07 | SEMIKRON |
获取价格 |
Schottky barrier rectifiers diodes |
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| SGL1-30 | SEMIKRON |
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Schottky barrier rectifiers diodes |
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| SGL1-30 | DIOTEC |
获取价格 |
Surface Mount Schottky-Rectifiers |
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