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SFF75N10ZDBTX

更新时间： 2024-01-11 00:46:06

品牌	Logo	应用领域
SSDI		局域网开关晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	84K
描述
Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 100V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, TO-254Z, 3 PIN

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SFF75N10ZDBTX 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-254AA
包装说明：	FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.09	雪崩能效等级（Eas）：	2500 mJ
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (ID)：	56 A	最大漏源导通电阻：	0.02 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-254AA
JESD-30 代码：	S-XSFM-P3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	SQUARE
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SFF75N10ZDBTX 数据手册

SFF75N10M

SFF75N10Z

Solid State Devices, Inc.

14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638

Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-1773

ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com

75 AMP

N-CHANNEL

POWER MOSFET

100 Volts

DESIGNER’S DATA SHEET

Part Number / Ordering Information ^1/

SFF75N10__ __ __

0.015 Ω

Screening ^2/__ = Not Screened

TX = TX Level

│

└

│

└

TXV = TXV Level

S = S Level

Features:

• Rugged Construction with Polysilicon Gate

• Low R_DS(ON)and High Transconductance

• Excellent High Temperature Stability

• Very Fast Switching Speed

• Fast Recovery and Superior dV/dt Performance

• Increased Reverse Energy Capability

• Low Input and Transfer Capacitance for Easy Paralleling

• Ceramic Seals for Improved Hermeticity

• Hermetically Sealed Package

Lead Option

__ = Straight Leads

DB = Down Bend

UB = Up Bend

Package M = TO-254

Z = TO-254Z

• TX, TXV, Space Level Screening Available

• Replacement for IXTH75N10 Types

Maximum Ratings^3/

Symbol

V_DS

Value

Units

Volts

Drain – Source Voltage

100

Continuous

transient

±20

±30

56 ^4/

140

Gate – Source Voltage

V_GS

Volts

Continuous

peak

Collector Current

I_D

Amps

ºC

Operating & Storage Temperature

Top & Tstg

R_θJC

-55 to +175

0.83

Maximum Thermal Resistance

Junction to Case

ºC/W

T_C= 25ºC

T_C= 55ºC

180

144

Total Device Dissipation

Avalanche Energy

P_D

repetitive

Single pulse

E_AR

E_AS

2500

TO-254 (M)

TO-254Z (Z)

1/ For Ordering Information, Price, and Availability- Contact Factory.

2/ Screening Based on MIL-PRF-19500. Screening Flows Available on Request.

3/ Unless Otherwise Specified, All Electrical Characteristics @25ºC

4/ Maximum Current Limited by Package, Die Rated at 140A.

NOTE: All specifications are subject to change without notification.

SCD's for these devices should be reviewed by SSDI prior to release.

DATA SHEET #: F00153G

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12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SFF75N10ZDBTXV	SSDI	获取价格	暂无描述
SFF75N10ZS	SSDI	获取价格	暂无描述
SFF75N10ZTX	SSDI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 100V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
SFF75N10ZTXV	SSDI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 100V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
SFF75N10ZU	SSDI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
SFF75N10ZUB	SSDI	获取价格	暂无描述
SFF75N10ZUBS	SSDI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 100V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
SFF75N10ZUBTX	SSDI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 100V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
SFF75N10ZUBTXV	SSDI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 100V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
SFF7N60	SEMIWELL	获取价格	N-Channel MOSFET

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