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SFF50N50MDBTXV

更新时间： 2024-01-18 03:36:51

品牌	Logo	应用领域
SSDI		局域网开关晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	119K
描述
Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 500V, 0.175ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, TO-254, 3 PIN

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SFF50N50MDBTXV 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-254AA
包装说明：	FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.09
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (ID)：	27 A
最大漏源导通电阻：	0.175 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-254AA	JESD-30 代码：	S-XSFM-P3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	SQUARE	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SFF50N50MDBTXV 数据手册

SFF27N50M

SFF27N50Z

Solid State Devices, Inc.

14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638

Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-1773

ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com

DESIGNER’S DATA SHEET

27 AMP , 500 Volts, 175 mΩ

Avalanche Rated N-channel

MOSFET

Part Number / Ordering Information ^1/

SFF27N50 ___ ___ ___

Screening ^2/

__ = Not Screened

TX = TX Level

TXV = TXV Level

S = S Level

│

└

│

└

Features:

Rugged poly-Si gate

Lead Option ^3/

__ = Straight Leads

DB = Down Bend

UB = Up Bend

•

Lowest ON-resistance in the industry

Avalanche rated

Hermetically Sealed, Isolated Package

Low Total Gate Charge

Fast Switching

TX, TXV, S-Level screening available

Improved (R_DS(ON)Q_G) figure of merit

Package ^{3/ 4/}

M = TO-254

Z = TO-254Z

Maximum Ratings

Symbol

V_DSS

Value

Units

Drain - Source Voltage

Gate – Source Voltage

100

±20

±30

continuous

transient

V_GS

I_D1

Max. Continuous Drain Current (package

limited)

@ T_C= 25ºC

@ T_C= 125ºC

I_D2

I_D3

Max. Instantaneous Drain Current (Tj limited)

Max. Avalanche current

I_AR

@ L= 0.1 mH

@ T_C= 25ºC

E_AS

E_AR

1500

Single and Repetitive Avalanche Energy

Total Power Dissipation

100

P_D

Operating & Storage Temperature

ºC

-55 to +150

T_OP& T_STG

Maximum Thermal Resistance

(Junction to Case)

1.0

(typ.0.75)

R_θJC

ºC /W

NOTES:

TO-254

TO-254Z

*Pulse Test: Pulse Width = 300µsec, Duty Cycle = 2%.

1/ For ordering information, price, and availability - contact factory.

2/ Screening based on MIL-PRF-19500. Screening flows available

on request.

3/ For package outlines / lead bending options / pinout

configurations - contact factory.

4/ Maximum current limited by package configuration

5/ Unless otherwise specified, all electrical characteristics @25^oC.

NOTE: All specifications are subject to change without notification.

SCD's for these devices should be reviewed by SSDI prior to release.

DATA SHEET #: F00165G

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SFF50N50MUB	SSDI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 500V, 0.175ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
SFF50N50MUBS	SSDI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 500V, 0.175ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
SFF50N50MUBTX	SSDI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 500V, 0.175ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
SFF50N50MUBTXV	SSDI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 500V, 0.175ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
SFF50N50ZDB	SSDI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 500V, 0.175ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
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