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SF36G-TP PDF预览

SF36G-TP

更新时间： 2024-09-23 20:02:39
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 功效瞄准线二极管
页数 文件大小 规格书
3页 495K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, DO-201AD, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2

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SF36G-TP 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：DO-201AD
包装说明：O-PALF-W2针数：2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.04
其他特性：LOW POWER LOSS, LOW LEAKAGE CURRENT应用：EFFICIENCY
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：DO-201ADJESD-30 代码：O-PALF-W2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：125 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最大输出电流：3 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：400 V最大反向恢复时间：0.035 µs
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

SF36G-TP 数据手册

 浏览型号SF36G-TP的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SF36G-TP的Datasheet PDF文件第3页 
SF31G  
THRU  
SF38G  
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
Micro Commercial Components  
ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ  
Features  
·
Lead Free Finish/Rohs Compliant (Note1) ("P"Suffix designates  
3 Amp High  
Efficiency Glass  
Passivated Rectifier  
50 to 600 Volts  
Compliant. See ordering information)  
·
Low power loss, high efficiency  
·
·
Low Forward Voltage Drop and Low Leakage  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
·
•
Moisture Sensitivity Level 1  
Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"  
Maximum Ratings  
DO-201AD  
·
·
Operating Temperature: -65°C to +150°C  
Storage Temperature: -65°C to +150°C  
MCC  
Catalog  
Number  
Device  
Marking  
Maximum  
Reccurrent  
Peak Reverse  
Voltage  
Maximum Maximum  
RMS  
DC  
Voltage  
Blocking  
Voltage  
D
SF31G  
SF32G  
SF34G  
SF35G  
SF36G  
SF38G  
SF31G  
SF32G  
SF34G  
SF35G  
SF36G  
50V  
35V  
70V  
140V  
210V  
280V  
50V  
100V  
200V  
300V  
400V  
100V  
200V  
300V  
400V  
A
Cathode  
Mark  
SF38G  
600V  
420V  
600V  
B
D
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified  
Average Forward  
Current  
IF(AV)  
3 A  
TA = 55°C  
Peak Forward Surge  
Current  
IFSM  
8.3ms, half sine  
C
125A  
Maximum Instantaneous  
Forward Voltage  
0.95V  
1.27V  
1.75V  
SF31G-35G  
SF36G  
VF  
IFM = 3.0A;  
SF38G  
TA = 25°C  
DIMENSIONS  
Maximum DC  
Reverse Current At  
Rated DC Blocking  
Voltage  
Maximum Reverse  
Recovery  
Time  
IR  
5 mA  
TA = 25°C  
INCHES  
MIN  
.287  
MM  
MIN  
7.30  
4.80  
1.20  
25.40  
DIM  
A
B
MAX  
.374  
.208  
MAX  
9.50  
5.30  
NOTE  
50 mA TA = 150°C  
.189  
C
D
.048  
1.000  
.052  
---  
1.30  
---  
Trr  
IF=0.5A, IR=1.0A,  
Irr=0.25A  
35.0nS  
Typical Junction  
Capacitance  
SF31G~35G  
SF36G~38G  
CJ  
Measured at  
1.0MHz, VR=4.0V  
50pF  
30pF  
Notes:1.High Temperature Solder Exemption Applied, see EU Directive Annex 7.  
www.mccsemi.com  
Revision: B  
2013/01/01  
1 of 3  
123

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与SF36G-TP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SF36H32-1 RECTRON

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, DO-201AD,
SF36H33 RECTRON

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, DO-201AD,
SF36H35 RECTRON

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, DO-201AD,
SF36H36-1 RECTRON

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 		暂无描述
SF36M21 RECTRON

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