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SF1D12

更新时间: 2024-02-05 06:14:08
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 栅极
页数 文件大小 规格书
2页 122K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 1.6 A, 200 V, SCR, TO-39

SF1D12 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.68外壳连接:ANODE
配置:SINGLE最大直流栅极触发电流:1 mA
最大直流栅极触发电压:0.8 V最大维持电流:10 mA
JEDEC-95代码:TO-39JESD-30 代码:O-MBCY-W3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:100 °C
最低工作温度:-40 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
认证状态:Not Qualified最大均方根通态电流:1.6 A
重复峰值关态漏电流最大值:100 µA断态重复峰值电压:200 V
重复峰值反向电压:200 V表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

SF1D12 数据手册

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