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SC2420ISWTRT

更新时间： 2024-10-01 19:05:55
品牌 Logo 应用领域
商升特 - SEMTECH 开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
17页 922K
描述
Switching Controller, Voltage-mode, 2A, 1000kHz Switching Freq-Max, PDSO28, SOIC-28

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SC2420ISWTRT 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOIC
包装说明：SOP,针数：28
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.84
模拟集成电路 - 其他类型：SWITCHING CONTROLLER控制模式：VOLTAGE-MODE
控制技术：PULSE WIDTH MODULATION最大输入电压：14 V
最小输入电压：8.5 V标称输入电压：12 V
JESD-30 代码：R-PDSO-G28JESD-609代码：e3
长度：17.9 mm功能数量：1
端子数量：28最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：2 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
座面最大高度：2.65 mm表面贴装：YES
切换器配置：PHASE-SHIFT最大切换频率：1000 kHz
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：7.5 mmBase Number Matches：1

SC2420ISWTRT 数据手册

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SC2420  
BI-Phase/Dual Controller  
POWER MANAGEMENT  
ꢀeatures  
Description  
The SC2420 can be configured as a dual converter or a  
bi-phase converter for high current applications. The part  
is designed for point of use power supplies with 8.5-14V  
nominal backplane power sources. The power dissipa-  
tion is controlled using a novel low voltage supply tech-  
nique, allowing high speed and integration, with the high  
drive currents to ensure low MOSꢀET switching loss. The  
synchronous buck configuration also allows converter  
sinking current from load without losing output regula-  
tion.  
u Selectable dual output or bi-phase operation  
u Direct drive for N-channel MOSꢀETs  
u Undervoltage lockout  
u Source and sink current  
u Soft start  
u ꢀast transient response  
u Max duty cycle 45%  
u Output over voltage protection  
u Thermal shut down  
The use of high speed switching circuits allows very nar-  
row PWM outputs allowing up to 10:1 voltage ratios.  
Single pin compensation for each channel simplifies de-  
velopment as well as reducing external pin count.  
Applications  
u DDR memory power supplies  
u Point of use power supplies  
Capable of driving MOSꢀETs via external driver transis-  
tors for phase currents beyond 20A.  
Typical Application Circuit  
1
www.semtech.com  
Revision 2, March 2002  
1234567...17

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