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SBT10100VCT

更新时间： 2024-01-08 00:49:09
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强茂 - PANJIT /
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描述
UlTRA LOW VF SCHOTTKY RECTIFIER

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SBT10100VCT 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
零件包装代码：TO-220AC包装说明：R-PSFM-T2
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：0.82Is Samacsys：N
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.78 V
JEDEC-95代码：TO-220ACJESD-30 代码：R-PSFM-T2
最大非重复峰值正向电流：150 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-50 °C
最大输出电流：10 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：100 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

SBT10100VCT 数据手册

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SBT10100VCT  
UlTRA LOW VF SCHOTTKY RECTIFIER  
10 Amperes  
VOLTAGE  
100 Volts  
CURRENT  
FEATURES  
• Ultra Low forward voltage drop, low power losses  
• High efficiency operation  
• Lead free in comply with EU RoHS 2011/65/EU directives  
MECHANICAL DATA  
Case : TO-220AB, Plastic  
Terminals : Solderable per MIL-STD-750, Method 2026  
Weight: 0.065 ounces, 1.859 grams.  
MAXIMUM RATINGS(TA=25oC unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
VALUE  
100  
UNIT  
V
Maximum repetitive peak reverse voltage  
VRRM  
per diode  
Maximum average forward rectified current  
per device  
5
10  
I
F(AV)  
FSM  
A
A
Peak forward surge current 8.3ms single half sine-wave  
per diode  
I
80  
superimposed on rated load  
Typical thermal resistance per diode  
Operating junction temperature range  
Storage temperature range  
(Note 1)  
R
JC  
45  
oC/W  
oC  
T
J
-55 to + 150  
-55 to + 150  
TSTG  
oC  
Note : 1. Mounted on infinite heatsink.  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS(TA=25oC unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
V
TEST CONDITIONS  
MIN.  
100  
TYP.  
-
MAX.  
-
UNIT  
Breakdown voltage per diode  
BR  
I
R=0.5mA  
V
V
I
I
I
F
F
F
=1A  
=2A  
=5A  
-
-
-
0.45  
0.51  
0.68  
-
-
TJ  
=25oC  
0.74  
Instantaneous forward voltage per diode  
V
F
I
I
I
F
F
F
=1A  
=2A  
=5A  
-
-
-
0.36  
0.46  
0.62  
-
-
-
TJ  
=125oC  
V
T
TJ  
J
=25oC  
-
-
1.8  
1.7  
-
-
A  
mA  
V
V
R
=70V  
=125oC  
Reverse current per diode  
June 21,2013-REV.00  
I
R
TJ  
TJ  
=25oC  
-
-
-
3
60  
-
A  
mA  
R=100V  
=125oC  
PAGE . 1  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SBT10100VCT_16 PANJIT

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