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SBT10100VDC_T0_00001

更新时间： 2024-02-15 04:40:16
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强茂 - PANJIT /
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4页 80K
描述
ULTRA LOW VF SCHOTTKY RECTIFIER

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SBT10100VDC_T0_00001 技术参数

生命周期：Active包装说明：HALOGEN FREE, PLASTIC, TO-263, D2PAK-3/2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.63
其他特性：LOW POWER LOSS应用：EFFICIENCY
外壳连接：CATHODE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.74 VJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2最大非重复峰值正向电流：80 A
元件数量：2相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：5 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE最大重复峰值反向电压：100 V
最大反向电流：60 µA表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLEBase Number Matches：1

SBT10100VDC_T0_00001 数据手册

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SBT10100VDC  
ULTRA LOW VF SCHOTTKY RECTIFIER  
10 Amperes  
VOLTAGE  
100 Volts  
CURRENT  
FEATURES  
0.189(4.8)  
0.137(4.4)  
• Ultra Low forward voltage drop, low power losses  
• High efficiency operation  
0.409(10.4)  
0.387(9.80)  
0.055(1.4)  
0.047(1.2)  
• Lead free in comply with EU RoHS 2011/65/EU directives  
0.110(2.8)  
0.236(6.0)  
0.197(5.0)  
0.026(0.7)  
0.011(0.3)  
MECHANICAL DATA  
Case : TO-263/D2PAK, Plastic  
0.055(1.4)  
0.039(1.0)  
0.035(0.9)MAX.  
Terminals : Solderable per MIL-STD-750, Method 2026  
Weight: 0.0514 ounces, 1.46 grams.  
0.108(2.75)  
0.092(2.35)  
0.108(2.75)  
0.092(2.35)  
MAXIMUM RATINGS(TA=25oC unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
VALUE  
100  
UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
V
V
RRM  
RMS  
V
V
Maximum rms voltage  
70  
Maximum dc blocking voltage  
V
R
100  
V
per device  
Maximum average forward rectified current  
per diode  
10  
5
I
F(AV)  
A
Peak forward surge current : 8.3ms single half  
per diode  
I
FSM  
80  
300  
A
sine-wave superimposed on rated load  
Typical junction capacitance (V  
R=4V, f=1MHz)  
C
J
pF  
OC/W  
oC  
Typical thermal resistance per diode  
Operating junction temperature range  
Storage temperature range  
(Note 1)  
R
JC  
3.5  
TJ  
-55 to + 150  
-55 to + 150  
T
STG  
oC  
Note : 1. Mounted on infinite heatsink.  
August 12,2013-REV.00  
PAGE . 1  
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